[實用新型]一種多晶硅還原爐高頻加熱電源逆變主電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320022680.8
• 申請日: 2013-01-17
• 公開（公告）號: CN203086371U
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳林
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江海得新能源有限公司
• 主分類號: H02M7/537
• 分類號: H02M7/537
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶硅還原爐高頻加熱電源逆變主電路，其特征在于包括第一、第二逆變模塊，負載，第一、第二電容組，所述的第一逆變模塊是由第一、第二、第三開關(guān)管組并聯(lián)而成，所述的第一電容組與第三開關(guān)管組并聯(lián)；其中，第一電容組中包含2個電容；第一開關(guān)管組、第三開關(guān)管組的中點（a、c）點相互串接；所述的第二逆變模塊是由第四、第五、第六開關(guān)管組并聯(lián)而成，所述的第二電容組與第六開關(guān)管組并聯(lián)；其中，第二電容組中包含2個電容；第四開關(guān)管組、第六開關(guān)管組的中點（d、f）相互串接；所述的第二開關(guān)管組中點（b）通過負載（R）與第五開關(guān)管組中點（e）相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐高頻加熱電源逆變主電路，其特征在于所述的第一、第二、第三、第四、第五、第六開關(guān)管組是由二個開關(guān)管串接而成，所述的開關(guān)管是由IGBT與二極管并接而成。