[實用新型]半導體封裝機構有效
| 申請號: | 201320017610.3 | 申請日: | 2013-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN203055900U | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 潘勇 | 申請(專利權)人: | 成都吉露科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610000 四川省成都市青*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 機構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種封裝件,特別涉及一種半導體封裝機構。
背景技術
半導體封裝中的引線鍵合,就是用非常細小的線把芯片上焊盤和基板連接起來,但現有的鍵合銅絲易氧化,電子結構和原子尺寸決定著化學性能;鍵合接口結合力不夠強壯,可靠性不穩定。同時半導體封裝機構散熱效果欠佳,容易導致芯片模塊燒壞受損,另外半導體上的元器件之間連接不牢固,且容置率低。因此,大大影響了半導體的性能及生產效率。
發明內容
本實用新型的目的就在于提供一種半導體封裝機構,能完全解決上述問題。
為了實現上述目的,本實用新型采用的技術方案是這樣的:本實用新型的半導體封裝機構,包括半導體基板及與半導體基板連接的芯片模塊,芯片模塊內置有散熱絲,半導體基板上分別設有薄金層、結合焊盤、容置單元及鍍鈀鍵合銅絲,半導體基板、芯片模塊、薄金層、結合焊盤、容置單元及鍍鈀鍵合銅絲之間均采用導電粘膠連接。
作為優選,所述鍍鈀鍵合銅絲為銅芯線或銅合金芯線。
作為優選,所述鍍鈀鍵合銅絲的鈀層厚度為0.1微米至0.4微米。
與現有技術相比,本實用新型的優點在于:這種半導體封裝機構不容易產生氧化,可有效進行鍵合,同時提高了接口強度,便于定位連接,能對元件進行保護,避免受損,且散熱性能良好,導電性能有所增強,封裝嚴密。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合附圖對本實用新型作進一步說明。
參見圖1,本實用新型的半導體封裝機構,包括半導體基板1及與半導體基板1連接的芯片模塊2,芯片模塊2內置有散熱絲,半導體基板1上分別設有薄金層3、結合焊盤4、容置單元5及鍍鈀鍵合銅絲6,半導體基板1、芯片模塊2、薄金層3、結合焊盤4、容置單元5及鍍鈀鍵合銅絲6之間均采用導電粘膠連接,所述鍍鈀鍵合銅絲6為銅芯線或銅合金芯線,所述鍍鈀鍵合銅絲6的鈀層厚度為0.1微米至0.4微米。
這種半導體封裝機構不容易產生氧化,可有效進行鍵合,同時提高了接口強度,便于定位連接,能對元件進行保護,避免受損,且散熱性能良好,導電性能有所增強,封裝嚴密。芯片模塊2內置有散熱絲,使其芯片模塊2不易因為溫度過高而被損壞;薄金層3的設計使其元器件與芯片模塊2之間能更好的進行結合;鍍鈀鍵合銅絲6為銅芯線或銅合金芯線,鍍鈀鍵合銅絲6的鈀層厚度為0.1微米至0.4微米,設計合理。
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