[實(shí)用新型]一種基于ARM的微電網(wǎng)電能監(jiān)測(cè)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320014912.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN203217003U
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜貴平;何莉丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種基于ARM的微電網(wǎng)電能監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于包括信號(hào)處理電路、采樣模塊、嵌入式微處理器模塊、通訊模塊、存儲(chǔ)器、顯示設(shè)備；所述嵌入式微處理器分別與信號(hào)處理電路、通訊模塊、存儲(chǔ)器、顯示設(shè)備連接；所述信號(hào)處理電路還與采樣模塊連接；所述采樣模塊實(shí)時(shí)測(cè)量微電網(wǎng)系統(tǒng)中的交流電壓、交流電流、直流電壓、直流電流、頻率、諧波參數(shù)指標(biāo)；所述信號(hào)處理電路對(duì)采樣模塊輸出的信號(hào)進(jìn)行隔離放大、濾波處理；所述通訊模塊用于實(shí)現(xiàn)嵌入式微處理器與外部設(shè)備之間的通信；所述顯示設(shè)備用于顯示檢測(cè)到的微電網(wǎng)電壓、電流、頻率、諧波信息；所述存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ARM的微電網(wǎng)電能監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于所述采樣模塊包括霍爾電壓傳感器和霍爾電流傳感器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ARM的微電網(wǎng)電能監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于所述信號(hào)處理電路由運(yùn)算放大器及相關(guān)電阻電容構(gòu)成，用于處理交流、直流信號(hào)，并將處理后的信號(hào)送到嵌入式微處理器模塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ARM的微電網(wǎng)電能監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于所述的通信模塊包括以太網(wǎng)通信方式模塊和CAN通信模塊，它們之間相互獨(dú)立；其中以太網(wǎng)通信模塊為10/100M以太網(wǎng)通信模塊，用于嵌入式微處理器模塊與上層監(jiān)控設(shè)備的以太網(wǎng)通信；CAN通信模塊實(shí)現(xiàn)與其他微電網(wǎng)發(fā)電設(shè)備控制器之間數(shù)據(jù)通信。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ARM的微電網(wǎng)電能監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于所述的顯示設(shè)備為觸摸屏。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于ARM的微電網(wǎng)電能監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于所述存儲(chǔ)器包括NAND?FLASH、DATA?FLASH、EEPROM和SDRAM。