[實用新型]IGBT背面集電極結構有效
| 申請號： | 201320013251.4 | 申請日： | 2013-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN203013730U | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 陳宏;朱陽軍;盧爍今;吳凱 | 申請（專利權）人： | 江蘇物聯網研究發展中心;中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | igbt 背面 集電極 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種IGBT背面集電極結構，包括N-型基區(5)，其特征在于：還包括在N-型基區(5)的背面形成的N+型緩沖層(6)和P+型集電極層(7)，所述N+型緩沖層(6)的表面包括陣列式的島狀凸起部以及島狀凸起部之間的凹下部；P+型集電極層(7)位于N+型緩沖層(6)的島狀凸起部以及島狀凸起部之間的凹下部的表層。
2.如權利要求1所述的IGBT背面集電極結構，其特征在于：所述N+型緩沖層(6)的陣列式的島狀凸起部和島狀凸起部之間的凹下部的面積比例能夠根據IGBT器件的需要而調節設定。
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