[實用新型]具有溫度補償的二極管元件有效
| 申請號： | 201320012888.1 | 申請日： | 2013-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN203071080U | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發明（設計）人： | 何政豪 | 申請（專利權）人： | 力神科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉雙;常大軍 |
| 地址： | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 溫度 補償 二極管 元件 | ||
1.一種具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，包含：
一負溫度系數二極管；及
一正溫度系數二極管，串聯于該負溫度系數二極管，該負溫度系數二極管與該正溫度系數二極管以相同半導體極性的一端彼此電性連接。
2.根據權利要求1所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該負溫度系數二極管與該正溫度系數二極管均包含彼此連接的一P型半導體層及一N型半導體層，其中該些N型半導體層彼此連接，該負溫度系數二極管的該P型半導體層位于遠離該正溫度系數二極管的一側，該正溫度系數二極管的該P型半導體層位于遠離該負溫度系數二極管的一側。
3.根據權利要求1所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該負溫度系數二極管與該正溫度系數二極管均包含彼此連接的一P型半導體層及一N型半導體層，其中該些P型半導體層彼此連接，該負溫度系數二極管的該N型半導體層位于遠離該正溫度系數二極管的一側，該正溫度系數二極管的該N型半導體層位于遠離該負溫度系數二極管的一側。
4.根據權利要求1所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該負溫度系數二極管為齊納二極管。
5.根據權利要求1所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該正溫度系數二極管為二極管。
6.根據權利要求1所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該負溫度系數二極管隨環境溫度變化的跨壓變化幅度與該正溫度系數二極管隨環境溫度變化的跨壓變化幅度相同。
7.根據權利要求1至6中任意一項所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，更包含一導線，電連接于該負溫度系數二極管與該正溫度系數二極管彼此電性連接的該相同半導體極性的一端之間。
8.根據權利要求1、2、4、5或6所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該正溫度系數二極管包含一N型基板及位于該N型基板上部的一P型重摻雜區域，該負溫度系數二極管包含位于該N型基板上部的一N型重摻雜區域及位于N型重摻雜區域內的另一P型重摻雜區域。
9.根據權利要求1、2、4、5或6所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該正溫度系數二極管包含一N型基板及位于該N型基板上部的一P型重摻雜區域，該負溫度系數二極管包含位于該N型基板下側的一N型重摻雜基板及位于N型重摻雜基板內的另一P型重摻雜區域。
10.根據權利要求1、3、4、5或6所述的具有溫度補償的二極管元件，其特征在于，該正溫度系數二極管包含一N型基板及位于該N型基板上部的一P型重摻雜區域，該負溫度系數二極管包含與該正溫度系數二極管共用的該P型重摻雜區域及位于該P型重摻雜區域內的一N型重摻雜區域。
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