[實用新型]IE型溝槽柵極IGBT

有效

• 申請號: 201320010525.4
• 申請日: 2013-01-04
• 公開（公告）號: CN203250742U
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 松浦仁
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種IE型溝槽柵極IGBT，其特征在于，包括：?

(a)具有第一主表面(1a)和第二主表面(1b)的半導體襯底(2)；?

(b)布置在所述半導體襯底(2)中并且具有第一導電類型的漂移區域(20)；?

(c)布置在所述第一主表面(1a)上的晶元形成區域(10)；?

(d)布置在所述晶元形成區域(10)中的大量線性單元晶元區域(40)，并且每個線性單元晶元區域(40)具有第一線性單元晶元區域(40f)和第二線性單元晶元區域(40s)；?

(e)布置在所述第一主表面(1a)上的金屬柵極電極(5)；以及?

(f)布置在所述第一主表面(1a)上的金屬發射極電極(8)；?

每個所述第一線性單元晶元區域(40f)包括：?

(x1)從所述第一主表面(1a)遍及所述漂移區域(20)的內部布置的線性有源晶元區域(40a)；?

(x2)電連接到所述金屬柵極電極(5)并且分別被布置在所述第一主表面(1a)中的第一溝槽(21q)和第二溝槽(21r)中的第一線性溝槽柵極電極(14q)和第二線性溝槽柵極電極(14r)，從而從兩個側面保持所述第一線性溝槽柵極電極(14q)和所述第二線性溝槽柵極電極(14r)之間的所述線性有源晶元區域(40a)；?

(x3)布置在所述漂移區域(20)的所述第一主表面(1a)的所述側面上的表面區域中并且具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型的本體區域(15)；?

(x4)與所述線性有源晶元區域(40a)的兩個側面相鄰布置的線性無源晶元區域(40i)，從而從兩個側面保持所述線性無源晶元區域(40i)之間的所述線性有源晶元區域(40a)，而?同時將所述第一線性溝槽柵極電極(14q)和所述第二線性溝槽柵極電極(14r)定義為邊界；?

(x5)布置在所述線性無源晶元區域(40i)中的所述第一主表面(1a)的所述側面上的基本上全部表面區域中的比所述本體區域(15)更深的并且具有與所述本體區域(15)的導電類型相同的導電類型的浮動區域(16)；以及?

(x6)布置在所述本體區域(15)的所述第一主表面(1a)的所述側面上的所述表面區域中的所述第一導電類型的發射極區域(12)；?

每個所述第二線性單元晶元區域(40s)包括：?

(y1)從所述第一主表面(1a)遍布所述漂移區域(20)的所述內部布置的線性孔集電極晶元區域(40c)；?

(y2)電連接到所述金屬發射極電極(8)并且分別被布置在所述第一主表面(1a)中的第三溝槽(21s)和第四溝槽(21t)中的第三線性溝槽柵極電極(14s)和第四線性溝槽柵極電極(14t)，從而從兩個側面保持所述第三線性溝槽柵極電極(14s)和第四線性溝槽柵極電極(14t)之間的所述線性孔集電極晶元區域(40c)；?

(y3)布置在所述漂移區域(20)的所述第一主表面(1a)的所述側面上的所述表面區域中的所述本體區域(15)；?

(y4)與所述線性孔集電極晶元區域(40c)的兩個側面相鄰布置的所述線性無源晶元區域(40i)，從而從兩個側面保持所述第三線性溝槽柵極電極(14s)和所述第四線性溝槽柵極電極(14t)之間的所述線性孔集電極晶元區域(40c)，同時將所述第三線性溝槽柵極電極(14s)和第四線性溝槽柵極電極(14t)定義為邊界；以及?

(y5)布置在所述線性無源晶元區域(40i)中的所述第一主表面(1a)的所述側面上的基本上全部表面區域中的比所述本體區域(15)更深的并且具有與所述本體區域(15)的導電類?型相同的導電類型的所述浮動區域(16)。?