[實用新型]低電壓調頻無線話筒有效
| 申請號: | 201320008863.4 | 申請日: | 2013-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN202979276U | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 李秉哲 | 申請(專利權)人: | 李秉哲 |
| 主分類號: | H04R19/01 | 分類號: | H04R19/01 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 233000 安徽省蚌*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 調頻 無線 話筒 | ||
技術領域
本實用新型屬于電子與通訊技術領域,是關于一種低電壓調頻無線話筒。
背景技術
本實用新型采用1.5V電池、1只NPN型三極管,通過改變高頻振蕩電路的振蕩頻率實現調頻波。因電路只使用1只NPN型三極管,所以電路不會受前后級的牽扯和干擾,使得高頻振蕩電路的頻率非常穩定。本實用新型適合用于無線耳機等保真度要求較高的音頻信號傳輸,可在大教室用于輔助教學或卡拉OK等活動。低電壓電池調頻無線話筒具有電路結構簡單,高頻振蕩頻率穩定、發射距離達25米、耗電量少、制作本低等特點。
以下詳細說明本實用新型所述的低電壓調頻無線話筒在實施過程中所涉及的相關技術內容。
實用新型內容
發明目的及有益效果:本實用新型采用1.5V電池、1只NPN型三極管,通過改變高頻振蕩電路的振蕩頻率實現調頻波。因電路只使用1只NPN型三極管,所以電路不會受前后級的牽扯和干擾,使得高頻振蕩電路的頻率非常穩定。本實用新型適合用于無線耳機等保真度要求較高的音頻信號傳輸,可在大教室用于輔助教學或卡拉OK等活動。低電壓電池調頻無線話筒具有電路結構簡單,高頻振蕩頻率穩定、發射距離達25米、耗電量少、制作成本低等特點。
電路工作原理:低電壓調頻無線話筒由駐極體話筒MIC和1只NPN型三極管等元件組成,高頻振蕩電路由NPN型三極管VT1、高頻振蕩線圈L1、電容C3、電容C4等外圍元件組成。駐極體話筒MIC將聲音信號變成音頻電流,通過電解電容C1耦合到NPN型三極管VT1的基極,音頻電流對高頻等幅振蕩電壓進行調制,經過調制的高頻信號通過電容C5,由發射天線ATX向外輻射。電阻R2作為NPN型三極管VT1的偏置,電阻R3起到交流負反饋作用,用于穩定NPN型三極管VT1的工作。高頻振蕩線圈L1和振蕩電容C4決定著高頻振蕩頻率,調整高頻振蕩線圈L1的匝數或間距可改變高頻振蕩頻率。電阻R1為駐極體話筒MIC的供電適配電阻。
技術特征:低電壓調頻無線話筒,它由1.5V電池、聲音信號輸入電路、三極管偏置電路、振蕩電路及高頻信號發射電路組成,其特征包括:
聲音信號輸入電路:它由駐極體話筒MIC、電阻R1、電解電容C1組成,駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻R1的一端和電解電容C1的負極,駐極體話筒MIC的金屬外殼S與電路地GND相連,電阻R1的另一端接電路正極VCC,電解電容C1的正極接NPN型三極管VT1的基極;
三極管偏置電路:它由NPN型三極管VT1和電阻R2組成,NPN型三極管VT1的基極接電阻R2的一端,電阻R2的另一端接電路正極VCC;
振蕩電路及高頻信號發射電路:它由NPN型三極管VT1、高頻振蕩線圈L1、電容C3、電容C2、負反饋電容C4、電容C5、負反饋電阻R3、耦合電容C6和發射天線ATX組成,NPN型三極管VT1的集電極與高頻振蕩線圈L1的一端、電容C5的一端、負反饋電容C4的一端及耦合電容C6的一端相連,高頻振蕩線圈L1的另一端和電容C5的另一端接電路正極VCC,耦合電容C6的另一端接發射天線ATX,NPN型三極管VT1的發射極與負反饋電容C4的另一端、負反饋電阻R3的一端和電容C3的一端相連,電容C3的另一端接電路正極VCC,負反饋電阻R3的另一端與電路地GND相連;
1.5V電池正極與電路正極VCC相連,1.5V電池負極與電路地GND相連。
附圖說明
附圖1是本實用新型提供一個低電壓調頻無線話筒的實施例電路工作原理圖。
具體實施方式
按照附圖1所示低電壓調頻無線話筒的電路工作原理圖和附圖說明,并且按照實施例所述的元器件技術要求進行實施即可實現本實用新型。
元器件的選擇及其技術參數
VT1是NPN型三極管,選用2SC9018等型號的中功率NPN型三極管,要求特征頻率fT大于300MHz,要求β≥110,也可選用特征頻率fT較高的高頻三極管,如:3DG80等,但特征頻率fT太高會影響調制頻率的穩定性;
MIC為駐極體話筒,駐極體話筒MIC應選用兩端輸出式的話筒,其中的場效應管漏極D為音頻信號輸出端,駐極體話筒的金屬外殼與場效應管源極S相連;將場效應管漏極D作為輸出端,有利于提高輸出信號的電壓增益,即:有助于駐極體話筒的靈敏度,駐極體話筒MIC可選用CM-18W等型號;
電阻選用功率為1/8W金屬膜電阻或碳膜電阻,電阻R1的阻值為200Ω;電阻R2的阻值為36KΩ;電阻R3的阻值為33~56Ω;
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