[實用新型]一種圓片級三維高密度電容結構

有效

• 申請號: 201320008803.2
• 申請日: 2013-01-09
• 公開（公告）號: CN203071060U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 卞新海;郭洪巖;張黎;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 王斌

1.一種圓片級三維高密度電容結構，包括襯底（100），其特征在于：所述襯底（100）的上表面設置鈍化層（200），在所述鈍化層（200）上設置金屬凸塊（300），所述金屬凸塊（300）的外圍設置絕緣層（400），所述絕緣層（400）上設置金屬布線層（500），所述金屬布線層（500）的外圍填充保護層（600），并在金屬凸塊（300）的頂端分別形成金屬凸塊頂端之上的保護層開口（601）和金屬凸塊頂端金屬布線層之上的保護層開口（602），所述金屬凸塊頂端之上的保護層開口（601）為電容的連接極Ⅰ，所述金屬凸塊頂端金屬布線層之上的保護層開口（602）為電容的連接極Ⅱ。

2.根據權利要求1所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊（300）?為圓柱、四邊柱、六邊柱或八邊柱，所述金屬凸塊頂端之上的保護層開口（601）和金屬凸塊頂端金屬布線層之上的保護層開口（602）的形狀為圓形、四邊形、六邊形或八邊形。

3.根據權利要求1所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊（300）的高寬比大于1:1。

4.根據權利要求3所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊（300）的高寬比為5:1。

5.根據權利要求1或2或3所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述電容的連接極Ⅰ和連接極Ⅱ之間以及兩個連接極Ⅰ或兩個連接極Ⅱ之間跨過1個或1個以上金屬凸塊（300），所述金屬凸塊（300）呈陣列排布，且底部相連。

6.根據權利要求5所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊（300）呈交錯的陣列排布。

7.根據權利要求1所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊頂端之上的保護層開口（601）的底部為金屬凸塊（300）的頂端面，所述金屬凸塊頂端金屬布線層之上的保護層開口（602）的底部為金屬布線層（500）的上表面。

8.根據權利要求1或2或7所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊頂端之上的保護層開口（601）內設置錫球（701），所述金屬凸塊頂端金屬布線層之上的保護層開口（602）內設置錫球（702）。

9.根據權利要求1所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊頂端之上的保護層開口（601）處的絕緣層（400）和金屬布線層（500）呈臺階狀分布，所述絕緣層（400）在金屬布線層（500）之下、且凸出于金屬布線層（500），所述保護層（600）將絕緣層（400）和金屬布線層（500）裸露的端部包裹。

10.根據權利要求8所述的圓片級三維高密度電容結構，其特征在于：所述金屬凸塊頂端之上的保護層開口（601）處的絕緣層（400）和金屬布線層（500）呈臺階狀分布，所述絕緣層（400）在金屬布線層（500）之下、且凸出于金屬布線層（500），所述保護層（600）將絕緣層（400）和金屬布線層（500）裸露的端部與錫球（701）隔離。