[實用新型]輻射探測器及輻射探測裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320005909.7
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN203037860U
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 李玉蘭;張嵐;李元景;劉以農;牛莉博;傅楗強;江灝;張韡;劉延青;李軍
• 申請（專利權）人: 同方威視技術股份有限公司;清華大學
• 主分類號: G01T1/36
• 分類號: G01T1/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔡純

1.一種輻射探測器，其特征在于包括：

用于感測輻射的半導體晶體，所述半導體晶體包括頂部表面、底部表面和至少一個側面；

位于半導體晶體的頂部表面的第一陽極；

位于半導體晶體的底部表面的第二陽極；以及

位于半導體晶體的至少一個側面的陰極。

2.根據權利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導體晶體感測X射線或γ射線。

3.根據權利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導體晶體的形狀為長方體，并且所述頂部表面和所述底部表面是長方體的任意兩個相對表面，所述至少一個側面是長方體的其余四個表面。

4.根據權利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導體晶體的形狀為立方體，并且所述頂部表面和所述底部表面是立方體的任意兩個相對表面，所述至少一個側面是立方體的其余四個表面。

5.根據權利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導體晶體的形狀為圓柱體，并且所述頂部表面和所述底部表面分別是圓柱體的頂面和底面，所述至少一個側面是圓柱體的側面。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于陰極連續(xù)覆蓋半導體晶體的所述至少一個側面。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于陰極分成位于半導體晶體的所述至少一個側面的一部分并且共同連接在一起的多個區(qū)段。

8.根據權利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于陰極完全覆蓋半導體晶體的所述至少一個側面。

9.根據權利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于第一陽極和第二陽極分別覆蓋半導體晶體的頂部表面和底部表面的至少一部分。

10.根據權利要求9中任一項所述的輻射探測器，其特征在于第一陽極和第二陽極的尺寸為半導體晶體的頂部表面和底部表面之間的高度的1/5～2/5，并且小于半導體晶體的頂部表面和底部表面的尺寸。

11.根據權利要求1所述的輻射探測器，其特征在于第一陽極和第二陽極具有相同的形狀，并且分別對稱地設置在半導體晶體的頂部表面和底部表面的中心。

12.根據權利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導體晶體由選自HgI₂、GaAs、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂和AlSb中的一種組成。

13.根據權利要求1所述的輻射探測器，其特征在于射線沿著半導體晶體的4π方向入射。

14.根據權利要求13所述的輻射探測器，其特征在于射線沿著垂直于所述至少一個側面中的一個側面的方向入射。

15.一種輻射探測裝置，其特征在于包括：

根據權利要求1所述的輻射探測器；以及

信號處理電路，所述信號處理電路包括：

第一雙極性放大整形電路，從第一陽極接收第一感測信號并進行放大和整形；

第二雙極性放大整形電路，從第二陽極接收第二感測信號并進行放大和整形；

第一絕對值電路，從第一雙極性放大整形電路接收第一感測信號并且計算第一感測信號的幅度的絕對值；

第二絕對值電路，從第二雙極性放大整形電路接收第二感測信號并且計算第二感測信號的幅度的絕對值；

求和電路，從第一絕對值電路接收第一感測信號的幅度的絕對值，以及從第二絕對值電路接收第二感測信號的幅度的絕對值，并對第一感測信號的幅度的絕對值和第二感測信號的幅度的絕對值求和；以及

多道脈沖幅度分析器，接收求和電路的輸出信號并對脈沖幅度分布進行分析。

16.根據權利要求15所述的輻射探測裝置，其特征在于還包括供電電路，在第一陽極、第二陽極與陰極之間提供工作電壓。

17.根據權利要求16所述的輻射探測裝置，其特征在于根據半導體晶體的高度設置工作電壓。

18.根據權利要求17所述的輻射探測裝置，其特征在于半導體晶體是尺寸為10mm×10mm×10mm的立方體，工作電壓約為100～200V/mm。

19.根據權利要求18所述的輻射探測裝置，其特征在于工作電壓約為200V/mm。