[實用新型]采用低壓信號控制超高壓NMOS的混合型開關結(jié)構有效

申請?zhí)枺?/td>	201320001887.7	申請日：	2013-01-05
公開（公告）號：	CN203243297U	公開（公告）日：	2013-10-16
發(fā)明（設計）人：	梁偉成	申請（專利權）人：	江陰芯成光電科技有限公司
主分類號：	H03K17/687	分類號：	H03K17/687
代理公司：	江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210	代理人：	唐紉蘭;沈國安
地址：	214434 江蘇省無錫市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	采用低壓信號控制超高壓 nmos 混合開關結(jié)構
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【權利要求書】：

1.一種采用低壓信號控制超高壓NMOS的混合型開關結(jié)構，其特征在于：所述結(jié)構包含有LDNMOS（M1）和NMOS（M2），LDNMOS（M1）的漏極（D1）接入高壓信號，LDNMOS（M1）的柵極（G1）接入恒定高壓信號（VCC），LDNMOS（M1）的源極（S1）與NMOS（M2）的漏極（D2）相連接，NMOS（M2）的源極（S2）接地，?NMOS（M2）的柵極（G2）接入控制信號。

2.如權利要求1所述一種采用低壓信號控制超高壓NMOS的混合型開關結(jié)構，其特征在于：所述LDNMOS（M1）為超高壓NMOS，所述NMOS（M2）為低壓NMOS。

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