[實用新型]導電性膜及導電性膜卷

有效

• 申請號: 201320001397.7
• 申請日: 2013-01-04
• 公開（公告）號: CN203217965U
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 藤野望;鷹尾寬行;石橋邦昭
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本實用新型涉及適用于能夠通過手指或觸控筆（stylus?pen）等的接觸而輸入信息的輸入顯示裝置等的導電性膜及導電性膜卷。?

背景技術

目前，已知一種導電性膜，該導電性膜具備形成在膜基材的兩面的透明導電體層和形成在各透明導電體層的表面的金屬層（專利文獻1）。將這樣的導電性膜用于例如接觸式傳感器時，對金屬層進行加工，在接觸輸入區域的外緣部形成引導布線，從而能夠實現窄邊框化。?

現有技術文獻?

專利文獻?

專利文獻1：日本特開2011－060146號公報?

實用新型內容

但是，上述現有的導電性膜存在將該膜卷成卷狀時鄰接的膜彼此壓接的問題。如果將壓接的膜彼此剝離，則有時損傷膜內的透明導電體層，可能導致品質降低。?

本實用新型的目的在于提供將導電性膜卷成卷狀時鄰接的膜不壓接而能夠維持高品質的導電性膜及導電性膜卷。?

為了實現上述目的，本實用新型的導電性膜具備：膜基材，形成在上述膜基材的一側的第1透明導電體層，形成在上述第1透明導電體層的與上述膜基材相反側的第1銅層，形成在上述膜基材的另一側的第2透明導電體層，形成在上述第2透明導電體層的與上述膜基材相反側的第2銅層，形成在上述第1銅層的與上述第1透明導電體層相反側、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的第1氧化被膜層。?

優選上述第1氧化被膜層的厚度為1.0nm～8.0nm。?

另外，優選上述第1氧化被膜層由含有50重量％以上的氧化亞銅、并且含有銅、氧化銅、碳酸銅及氫氧化銅的組合物構成。更優選上述第1氧化被膜層實質上僅由氧化亞銅構成。?

上述導電性膜優選還具有形成于上述第2銅層、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的第2氧化被膜層。?

另外，為了實現上述目的，本實用新型的導電性膜卷的特征在于，將上述導電性膜卷成卷狀而構成。?

根據本實用新型，第1氧化被膜層形成在第1銅層的與第1透明導電體層相反側。從而，將本導電性膜卷成卷狀時，因為第1銅層和第2銅層之間存在第1氧化被膜層，所以能夠抑制第1銅層和第2銅層的金屬鍵合。另外，因為使含有氧化亞銅的第1氧化被膜層的厚度為1nm～15nm，從而鄰接的膜彼此不壓接，所以不會損傷第1透明導電體層，能夠維持高品質。?

另外，因為第1氧化被膜層的厚度為1.0nm～8.0nm，所以能夠確實地防止鄰接的膜彼此的壓接。?

進而，因為第1氧化被膜層由含有50重量％以上的氧化亞銅、并且含有銅、氧化銅、碳酸銅及氫氧化銅的組合物構成，所以能夠確實地防止鄰接的膜彼此壓接。?

附圖說明

圖1是概略地表示將本實用新型實施方式的導電性膜卷成的導電性膜卷的構成的側視圖。?

圖2是表示圖1中部位A的局部放大圖。?

圖3是表示圖1的導電性膜的變形例的部分放大圖。?

圖4是表示圖1的導電性膜卷的變形例的側視圖。?

圖5是表示圖4中部位B的局部放大圖。?

符號說明

1????導電性膜?

2????膜基材?

3????透明導電體層?

4????銅層?

5????透明導電體層?

6????銅層?

7????氧化被膜層?

8，8’??導電性膜卷?

9，9’??巻芯?

10，20??導電性膜?

11????氧化被膜層?

具體實施方式

以下參照附圖詳細說明本實用新型的實施方式。?

圖1是概略地表示將本實施方式的導電性膜卷成的導電性膜卷的構成的側視圖。圖2是表示圖1中部位A的局部放大圖。應予說明，圖1、圖2中的各層的厚度表示它的一例，本實用新型的導電性膜中的各層的厚度不限定于圖1、圖2的厚度。?

如圖1、圖2所示，本實用新型的導電性膜1具備膜基材2，形成在該膜基材的一側的透明導電體層（第1透明導電體層）3，形成在透明導電體層3的與膜基材2相反側的銅層（第1銅層）4，形成在膜基材2的另一側的透明導電體層（第2透明導電體層）5，形成在透明導電體層5的與膜基材2相反側的銅層（第2銅層）6，形成在銅層4的與透明導電體層3相反側、含有氧化亞銅的厚度為1nm～15nm的氧化被膜層（第1氧化被膜層）7。?