[發明專利]用于提供電連接的設備和方法有效
| 申請號: | 201310757381.3 | 申請日: | 2013-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN103855042B | 公開(公告)日: | 2016-11-30 |
| 發明(設計)人: | R·佩爾策;M·施特納德 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/68 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉金鳳;胡莉莉 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 提供 連接 設備 方法 | ||
1.一種設備,包括:
沿縱向延伸的管;以及
在所述管中布置的中空通道,
其中所述管的端部被形成為使得在所述管中并在所述中空通道的外部沿縱向延伸的第一電磁輻射路徑聚焦在第一焦點中。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述中空通道沿所述縱向延伸。
3.根據權利要求1所述的設備,其中所述中空通道限定沿縱向延伸的軸,并且所述第一焦點基本被布置在所述軸上。
4.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一電磁輻射路徑包括在所述管的端部處的反射或在所述管的端部處的折射。
5.根據權利要求1所述的設備,其中:
在所述管中并在所述中空通道的外部沿縱向延伸的第二電磁輻射路徑聚焦在第二焦點中,
所述第一電磁輻射路徑包括在所述管的端部處的反射,以及
所述第二電磁輻射路徑包括在所述管的端部處的折射。
6.根據權利要求1所述的設備,其中所述管包括選自包含石英材料、ZnS、GaAs和藍寶石的組的材料。
7.根據權利要求1所述的設備,其中所述中空通道的厚度在15和1000微米之間。
8.根據權利要求1所述的設備,進一步包括被配置為將所述管耦合至激光源的接口。
9.根據權利要求1所述的設備,進一步包括被配置為提供合成氣體的單元。
10.根據權利要求1所述的設備,其中所述設備包括線結合器工具。
11.一種方法,包括:
提供沿縱向延伸的管,其中所述管包括被布置在所述管中的中空通道,所述管的端部被形成為使得在所述管中并在所述中空通道的外部沿縱向延伸的電磁輻射路徑聚焦在焦點中;以及
提供電磁輻射,以使所述電磁輻射聚焦在所述焦點中。
12.根據權利要求11所述的方法,進一步包括:
將線插入所述中空通道中;以及
用聚焦的電磁輻射熔化所述線的一部分。
13.根據權利要求12的方法,進一步包括在所述線的熔化的部分和電接觸元件之間提供接觸。
14.根據權利要求11所述的方法,進一步包括提供合成氣體。
15.根據權利要求14所述的方法,其中所述合成氣體被提供通過所述中空通道。
16.根據權利要求14所述的方法,進一步包括將線插入所述中空通道中,其中所述合成氣體的壓力使所述線朝著所述焦點移動。
17.一種設備,包括:
沿縱向延伸的毛細管,其中所述毛細管的端部成斜面;以及
中空通道,其被布置在所述毛細管中并限定軸,
其中在所述毛細管的斜面端部處,在所述毛細管中并在所述中空通道的外部沿縱向延伸的電磁輻射路徑被朝著所述軸引導。
18.根據權利要求17所述的設備,其中所述電磁輻射路徑被通過反射和折射中的至少一個朝著焦點引導。
19.一種設備,包括:
半導體材料;
電接觸元件,其包括第一材料并被布置在所述半導體材料的上方;以及
接合線,其包括第二材料并電耦合至所述電接觸元件,其中所述第一材料和所述第二材料之間的過渡是連續的。
20.根據權利要求19所述的設備,其中所述第一材料和所述第二材料中的每一個包括金屬或金屬合金。
21.根據權利要求19所述的設備,其中所述第一材料和所述第二材料二者都包括銅。
22.根據權利要求19所述的設備,其中所述連續過渡包括固化結構。
23.根據權利要求19所述的設備,其中所述連續過渡包括多晶結構。
24.根據權利要求19所述的設備,進一步包括引線框或印刷電路板的另外的電接觸元件,并且包括第三材料,其中所述接合線電耦合至所述另外的電接觸元件,并且所述第一材料和所述第三材料之間的過渡是連續的。
25.一種方法,包括:
提供電磁輻射;
聚焦所述電磁輻射;
基于聚焦的電磁輻射熔化結合線和電接觸墊中的至少一個;以及
在所述結合線和所述電接觸墊之間提供電連接。
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