[發明專利]用于水處理的工藝有效
| 申請號： | 201310757361.6 | 申請日： | 2013-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN103833107B | 公開（公告）日： | 2018-10-19 |
| 發明（設計）人： | D·根斯比泰爾 | 申請（專利權）人： | 奧維沃股份有限公司 |
| 主分類號： | C02F1/42 | 分類號： | C02F1/42;C02F103/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 加拿大魁北*** | 國省代碼： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 水處理 工藝 | ||
1.一種用于水處理的工藝，包括以下步驟：
將去陽離子的水流通過逆流離子交換單元，所述逆流離子交換單元包括：
單個柱體，該單個柱體具有：
單獨的第一強堿性陰離子交換室，以及
單獨的第二強堿性陰離子交換室，
所述逆流離子交換單元還包括：
在第一強堿性陰離子交換室中的第一強堿性陰離子交換床，具有液體可穿透的頂部基部，以及
在第二強堿性陰離子交換室中的第二強堿性陰離子交換床，具有液體可穿透的頂部基部，所述第二強堿性陰離子交換床布置在所述第一強堿性陰離子交換床的下游，使得所述去陽離子的水流通過所述第一強堿性陰離子交換床、且然后通過所述第二強堿性陰離子交換床，
在所述第二強堿性陰離子交換床的上游的位置處監測水流的硅石濃度，
在所述第二強堿性陰離子交換床的下游的位置處監測水流的硼濃度，
當所述硅石濃度和所述硼濃度中的一個超過限定的閾值時，通過將再生溶液通過所述單個柱、通過所述第二強堿性陰離子交換床且然后通過所述第一強堿性陰離子交換床，而使所述逆流離子交換單元再生。
2.一種用于水處理的工藝，包括以下步驟：
將去陽離子的水流通過逆流離子交換單元，所述逆流離子交換單元包括：
單個柱體，該單個柱體具有：
弱堿性陰離子交換床室，
單獨的第一強堿性陰離子交換室，以及
單獨的第二強堿性陰離子交換室，
所述逆流離子交換單元還包括：
在弱堿性陰離子交換床室中的弱堿性陰離子交換床，具有液體可穿透的頂部基部，
在第一強堿性陰離子交換室中的第一強堿性陰離子交換床，具有液體可穿透的另一頂部基部，所述第一強堿性陰離子交換床布置在所述弱堿性陰離子交換床的下游，以及
在第二強堿性陰離子交換室中的第二強堿性陰離子交換床，具有液體可穿透的又一頂部基部，所述第二強堿性陰離子交換床布置在所述第一強堿性陰離子交換床的下游，使得所述去陽離子的水流通過所述弱堿性陰離子交換床、然后通過所述第一強堿性陰離子交換床、且然后通過所述第二強堿性陰離子交換床，
在所述第二強堿性陰離子交換床的上游的位置處監測水流的硅石濃度，
在所述第二強堿性陰離子交換床的下游的位置處監測水流的硼濃度，
當所述硅石濃度和所述硼濃度中的一個超過限定的閾值時，通過將再生溶液通過所述單個柱、通過所述第二強堿性陰離子交換床、然后通過所述第一強堿性陰離子交換床、且然后通過所述弱堿性陰離子交換床，而使所述逆流離子交換單元再生。
3.如權利要求1所述的工藝，其中，
當硅石濃度超過限定的20ppb的臨界值時，所述陰離子交換床進行再生。
4.如權利要求1所述的工藝，其中，
水流樣品經過在所述第二強堿性陰離子交換床下游的強酸性陽離子交換床，其中，所述強酸性陽離子交換床設置在所述第二強堿性陰離子交換床和硼分析儀之間。
5.如權利要求1所述的工藝，其中，
當硼濃度超過限定的100ppt的臨界值時，所述陰離子交換床進行再生。
6.一種去陽離子水處理系統，用于進行根據上述任一項權利要求所述的工藝，所述去陽離子水處理系統包括：
第一強堿性陰離子交換床和第二強堿性陰離子交換床，所述第二強堿性陰離子交換床設置在所述第一強堿性陰離子交換床的下游。
7.如權利要求6所述的系統，其中，
所述系統進一步地包括弱堿性陰離子交換床，所述弱堿性陰離子交換床設置在所述第一強堿性陰離子交換床的上游。
8.如權利要求6所述的系統，其中，
所述陰離子交換床以逆流離子交換單元的形式進行設置。
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