[發明專利]半導體器件及其產生方法

有效

• 申請號: 201310757285.9
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103871974B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: A·海因里希;F·馬里阿尼;M·施內甘斯;B·魏德甘斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;馬永利

1.一種半導體器件，包括：

半導體芯片，包括第一主面和第二主面，其中

所述第二主面是所述半導體芯片的背側，所述第二主面包括第一區域和第二區域，所述第二區域是所述第二主面的外圍區域，并且所述第一區域的水平面與第二區域的水平面不同。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體芯片的所述第一主面基本上是平坦的。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體芯片在所述第二區域中的厚度小于100μm。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體芯片在所述第一區域中的厚度小于50μm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二區域完全環繞所述第一區域。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二主面的中間區域被布置在所述第一區域和所述第二區域之間，其中所述中間區域的水平面從所述第一區域朝向所述第二區域改變。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一區域的面積是所述半導體芯片的所述第二主面的總面積的至少80％。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二區域具有包括所述半導體芯片的所述第二主面的至少一個直邊緣的至少一個條的形狀。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括布置在所述半導體芯片的所述第二主面的所述第二區域上的聚合物結構。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述聚合物結構的側面與所述半導體芯片的側面平齊。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述聚合物結構包括從由光酰亞胺、光刻膠、熱固性材料或熱塑性材料構成的組中選擇的酰亞胺。

12.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述聚合物結構具有在3和50μm之間的厚度。

13.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述聚合物結構包括具有在2和50μm之間的寬度的條。

14.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述聚合物結構的寬度從所述第二主面在離開所述半導體芯片的方向上減小。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括布置在所述半導體芯片的所述第二主面的所述第一區域上的導電層。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，進一步包括布置在所述半導體芯片的所述第二主面的所述第二區域上的聚合物結構，其中所述導電層的厚度大于所述聚合物結構的厚度。

17.根據權利要求15所述的半導體器件，進一步包括布置在所述半導體芯片的所述第二主面的所述第二區域上的聚合物結構，其中所述聚合物結構的背對所述半導體芯片的表面和所述導電層的背對所述半導體芯片的表面彼此齊平。

18.根據權利要求15所述的半導體器件，其中所述導電層包括第一材料的第一金屬化層，所述第一材料包括Cu或Sn的一種，或者這些金屬的一種或多種的合金。

19.根據權利要求18所述的半導體器件，其中所述導電層進一步包括第二材料的鍵合層，所述鍵合層覆蓋所述第一金屬化層，其中所述第二材料是焊接材料或傳導粘合劑。

20.根據權利要求15所述的半導體器件，其中所述導電層包括從由納米膏層、焊膏層和傳導粘合劑構成的組中選擇的金屬膏層。

21.根據權利要求15所述的半導體器件，其中所述導電層包括基底金屬化層，所述基底金屬化層包括下列中的至少一種：Au、Al、Ti、W、Cr、NiCo、Co、Cu、Sn、Ni、NiV、NiSn、Au、Ag、Pt、Pd，以及這些金屬中的一種或多種的合金。

22.根據權利要求15所述的半導體器件，其中所述半導體芯片是功率半導體芯片，并且所述導電層電耦合至所述功率半導體芯片的電極。

23.根據權利要求15所述的半導體器件，其中所述半導體芯片是邏輯集成電路，并且所述導電層是背側熱沉。