[發明專利]用于低溫應用的離子型熱酸生成劑

有效

• 申請號: 201310757277.4
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103852973B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: G·珀勒斯;劉驄;C-B·徐;K·羅威爾;I·考爾
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/039;G03F7/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 胡嘉倩

1.一種提供光刻膠浮雕圖案的方法，包括

a)將化學增強的光刻膠組合物的涂層施用于在基材上；

b)將光刻膠層曝光于活化輻射并將曝光的光刻膠層顯影以提供光刻膠浮雕圖像；

c)將包含由下式(I)表示的熱酸生成劑的化學修整外涂層組合物的涂層施用于曝光后的光刻膠組合物涂層；

(A^-)(BH)⁺ 式(I)

其中

A^-是pKa值不大于3的有機或無機酸陰離子；并且

(BH)⁺是單質子化形式的含氮堿B，其具有0至5.0之間的pKa，和小于170℃的沸點；

d)加熱所述化學修整外涂層組合物層；并且

e)將所述光刻膠層顯影以提供光刻膠浮雕圖案。

2.如權利要求1所述的方法，其中，B選自下組：

其中Y是甲基或乙基。

3.如權利要求1所述的方法，其中，B是取代的吡啶。

4.如權利要求1所述的方法，其中，A^-是氟代烷基磺酸陰離子。

5.如權利要求1所述的方法，其中，熱酸生成劑選自：

3-氟吡啶鎓全氟丁磺酸鹽；

3-氟吡啶鎓三氟甲磺酸鹽；以及

3-氟吡啶鎓對-甲苯磺酸鹽。

6.一種涂覆的基材，其包括：

光刻膠層；和

化學修整外涂層，其在光刻膠層上，包含由下式(I)表示的離子型熱酸生成劑；

(A^-)(BH)⁺ 式(I)

其中

A^-是pKa值不大于3的有機或無機酸陰離子；并且

(BH)⁺是單質子化形式的含氮堿B，其具有0至5.0之間的pKa，和小于170℃的沸點。

7.如權利要求6所述的基材，其中，B選自下組：

其中Y是甲基或乙基。

8.如權利要求6所述的基材，其中，B是取代的吡啶。

9.如權利要求6所述的基材，其中，A^-是氟代烷基磺酸陰離子。

10.如權利要求6所述的基材，其中，熱酸生成劑選自：

3-氟吡啶鎓全氟丁磺酸鹽；

3-氟吡啶鎓三氟甲磺酸鹽；以及

3-氟吡啶鎓對-甲苯磺酸鹽。

11.一種涂覆的基材，其包括：

抗反射組合物層，所述抗反射組合物層包含樹脂和由下式(I)表示的熱酸生成劑：

(A^-)(BH)⁺ 式(I)

其中

A^-是pKa值不大于3的有機或無機酸陰離子；并且(BH)⁺是單質子化形式的含氮堿B，其具有0至5.0之間的pKa，和小于170℃的沸點；

以及抗反射涂覆組合物層上的光刻膠層，其中，B選自

和取代的吡啶，

其中，Y是甲基或乙基。

12.如權利要求11所述的基材，其中，B是取代的吡啶。

13.如權利要求11所述的基材，其中，A^-是氟代烷基磺酸陰離子。

14.如權利要求11所述的基材，其中，熱酸生成劑選自：

3-氟吡啶鎓全氟丁磺酸鹽；

3-氟吡啶鎓三氟甲磺酸鹽；以及

3-氟吡啶鎓對-甲苯磺酸鹽。