[發明專利]芯片模塊、絕緣材料和制造芯片模塊的方法

有效

• 申請號: 201310757262.8
• 申請日: 2013-12-04
• 公開（公告）號: CN103855109B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: J·赫格勞爾;R·奧特倫巴;K·席斯;X·施勒格爾;J·施雷德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373;H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉金鳳;徐紅燕

技術領域

本發明涉及芯片模塊、絕緣材料和制造芯片模塊的方法。

背景技術

在芯片模塊中，半導體芯片可布置在載體上且可產生熱。為了防止由過高的溫度造成的損害，可提供導熱絕緣層以將熱傳遞至例如熱沉。

附圖說明

附圖被包括以提供對實施例的進一步理解并被包含在本說明書中且構成本說明書的一部分。附圖示出實施例并與說明一起用于解釋實施例的原理。其它實施例和實施例的許多預期的優點將隨著通過參考以下詳細描述變得更好理解而易于被認識到。附圖的元件不一定是相對于彼此成比例的。相同的附圖標記表示對應的相似部分。

圖1示出了根據實施例的芯片模塊的示意性載面側視圖圖示；

圖2示出了根據實施例的芯片模塊的示意性截面側視圖圖示；

圖3示出了用于絕緣的材料的熱阻和尺寸之間的關系；

圖4示出了絕緣層的熱阻和電容之間的關系；

圖5示出了根據實施例的芯片模塊的示意性截面側視圖圖示；以及

圖6示出了用于圖示根據實施例的制造芯片模塊的方法的流程圖。

具體實施方式

現在參考附圖描述各個方面和實施例，其中貫穿全文相同的附圖標記通常用于指代相似的元件。在以下描述中，為了解釋的目的，闡述了大量的具體細節以提供對實施例的一個或多個方面的全面理解。然而，對本領域技術人員來說可能顯而易見的是，實施例的一個或多個方面可被實現為具有較少程度的具體細節。在其它情形下，以示意性形式示出已知的結構和元件以利于描述實施例的一個或多個方面。應理解的是，可使用其它實施例且可作出結構上或邏輯上的改變而不脫離本發明的范圍。應注意的是，附圖不是按比例的或者不一定是按比例的。

此外，雖然可僅針對若干實施方式中的一個來公開實施例的特定特征或方面，但可以將這樣的特征或方面與其它實施方式的一個或多個其它特征或方面相組合，如可能被期望的且對任何給定或特定的應用有利的那樣。而且，在術語“包括(include)”、“含有(have)”、“具有(with)”或其其它變形被用于詳細描述或權利要求中的程度下，意圖是使這些術語以類似于術語“包含(comprise)”的方式是包括性的(inclusive)。可以使用術語“耦合的”和“連接的”以及其派生詞。應理解的是，這些術語可用來表示兩個元件、無論它們是直接物理接觸或電接觸還是它們相互不直接接觸都相互協作或相互作用。而且，術語“示例性的”意思僅僅是作為示例，而不是最佳的或最優的。因此以下詳細描述不應在限制性的意義上被理解，并且本發明的范圍由所附權利要求來限定。

芯片模塊和制造芯片模塊的方法的實施例可使用各種類型的半導體芯片或被包括在半導體芯片中的電路，它們中的一些包括AC/DC或DC/DC轉換器電路、功率MOS晶體管、功率肖特基二極管、邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、傳感器電路、MEMS(微機電系統)、功率集成電路、具有集成無源器件的芯片等。實施例也可使用如下半導體芯片，所述半導體芯片包括MOS晶體管結構或垂直晶體管結構(類似于例如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)結構)，或者一般而言包括如下晶體管結構：在該晶體管結構中，至少一個電接觸焊盤布置在半導體芯片的第一主表面上且至少一個其它電接觸焊盤布置在與半導體芯片的第一主表面相對的半導體芯片的第二主表面上。而且，絕緣材料的實施例可例如用于提供各種類型的殼體中的絕緣層和用于電子電路和部件的絕緣，和/或用于提供包括上面提到的半導體芯片和電路的各種類型的半導體芯片或被包括在半導體芯片中的電路中的絕緣層。

在若干個實施例中，層或層堆疊被施加到彼此或材料被施加或沉積至這些層上。應理解的是，任何諸如“施加的”或“沉積的”這樣的術語意味著字面上涵蓋將層施加到彼此上的所有類型的技術。特別地，它們意味著涵蓋其中將多個層作為整體一次進行施加的技術(類似于例如層壓技術)，以及其中以類似于例如濺射、電鍍、模制、CVD等的依次方式沉積多個層的技術。

半導體芯片可包括在其外表面的一個或多個上的接觸元件或接觸焊盤，其中接觸元件用于電接觸半導體芯片。接觸元件可具有任何期望的形式或形狀。它們可以例如具有連接盤(1and)的形式，即半導體封裝的外表面上的平坦接觸層。接觸元件或接觸焊盤可由任何導電材料制成，例如，由諸如例如鋁、金或銅的金屬、或者金屬合金、或者導電有機材料、或者導電半導體材料制成。