[發明專利]高密度有機橋器件和方法有效
| 申請號: | 201310757213.4 | 申請日: | 2013-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN104037161A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | M·K·羅伊;S·M·洛茨;任緯倫 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L23/532 | 分類號: | H01L23/532;H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 韓宏;陳松濤 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高密度 有機 器件 方法 | ||
1.一種微電子封裝,包括:
有機聚合物襯底;
嵌入在所述襯底中的有機聚合物橋;
在所述有機聚合物橋的第一位置處的第一互連結構,以及在所述有機聚合物橋的第二位置處的第二互連結構;以及
在所述有機聚合物橋中的導電通路,所述導電通路將所述第一互連結構連接至所述第二互連結構。
2.如權利要求1所述的微電子封裝,其中所述有機聚合物襯底包含凹陷,并且使用有機聚合物將所述有機聚合物橋嵌入在所述凹陷中。
3.如權利要求2所述的微電子封裝,其中所述有機聚合物襯底和所述有機聚合物橋由相同的有機聚合物制成。
4.如權利要求2所述的微電子封裝,其中所述有機聚合物襯底和所述有機聚合物橋由不同的有機聚合物制成。
5.如權利要求1、2、3或者4所述的微電子封裝,其中所述有機聚合物襯底采用具有第一線寬和第一線間距的第一組設計規則來生成;且其中所述有機聚合物橋采用具有第二線寬和第二線間距的第二組設計規則來生成。
6.如權利要求5所述的微電子封裝,其中所述第一線寬大于所述第二線寬,并且所述第一線間距大于所述第二線間距。
7.如權利要求1、2、3或者4所述的微電子封裝,其中所述有機聚合物橋的總厚度小于大約20μm。
8.一種適于將多個管芯互相連接的有機橋,所述有機橋包括:
金屬布線層;
金屬焊盤層;
交錯的有機聚合物介電層;并且
其中不存在基本上由硅制成的層。
9.如權利要求8所述的有機橋,其中所有層的組合厚度小于大約30μm。
10.如權利要求8所述的有機橋,其中所有層的組合厚度為大約15微米。
11.如權利要求8、9或者10所述的有機橋,其中所述金屬焊盤層包括多個互連結構。
12.如權利要求11所述的有機橋,其中所述多個互連結構中的第一個適于連接至第一管芯,并且其中所述多個互連結構中的第二個適于連接至第二管芯。
13.如權利要求8、9或者10所述的有機橋,還包括另外的金屬層以及另外的交錯的有機聚合物介電層。
14.一種微電子封裝,包括:
有機聚合物封裝襯底;以及
有機聚合物橋,所述有機聚合物橋包括金屬焊盤層、金屬布線層以及交錯的介電層,所述有機聚合物橋被嵌入在所述有機聚合物封裝襯底中。
15.如權利要求14所述的微電子封裝,其中所述有機聚合物橋的厚度為大約15μm至大約20μm。
16.一種方法,包括:
提供有機橋,所述有機橋包括:
金屬布線層;
金屬焊盤層;
交錯的有機聚合物介電層;
提供在其中形成有凹陷的有機封裝襯底;以及
采用有機聚合物將所述有機橋接合至所述有機封裝的凹陷中。
17.如權利要求16所述的方法,其中所述有機橋的所有層的厚度小于大約15μm。
18.如權利要求16所述的方法,其中所述有機橋的所有層的厚度小于大約20μm。
19.如權利要求16、17或者18所述的方法,其中所述金屬焊盤層包括多個互連,并且其中所述方法還包括將第一管芯接合至所述多個互連中的一個,并且將第二管芯接合至所述多個互連中的另一個,采用基于熱壓縮的接合來實現所述第一管芯和所述第二管芯的接合。
20.如權利要求16、17或者18所述的方法,其中所述有機橋接合至所述有機封裝襯底的單個內建層中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英特爾公司,未經英特爾公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310757213.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





