[發明專利]定向耦合器,尤其是具有高耦合衰減的定向耦合器

有效

• 申請號: 201310757062.2
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103855453B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: A·法克爾邁耶;K·休伯;S·波特
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 郝俊梅

1.一種定向耦合器(10a至10h)，包含：

第一導電軌(20a至20h)，

第二導電軌(22a至22h)，以及

用于耦合第一導電軌與第二導電軌的導電結構(24a至24h)，該導電結構包含第一部分區域(28a至28c)和第二部分區域(30a至30c)，與所述第一導電軌(20a至20h)靠近所述第二導電軌(22a至22h)布置相比，所述第一部分區域更靠近所述第一導電軌(20a至20h)地布置；與所述第一導電軌(20a至20h)靠近所述第二導電軌(22a至22h)布置相比，所述第二部分區域更靠近所述第二導電軌(22a至22h)地布置，并且該導電結構包含連接第一部分區域與第二部分區域的彎曲區域，

其中，第一導電軌(20a至20h)、第二導電軌(22a至22h)和導電結構(24a至24h)布置在不同的導電軌層中，

其中，所述導電結構(24f2，24g2，24h2)在第一部分區域(28a至28c)中與所述第一導電軌(20f，20g，20h)交疊和/或在第二部分區域(30a至30c)中與所述第二導電軌(22f1，22g，22h)交疊，

其中，第一導電軌(20d)至少在定向耦合器的區域中是筆直的并且具有第一寬度(B1)，

并且其中，導電結構(22d1至22d3)在第一部分區域(28a至28c)中是筆直的并且具有第二寬度(B2)，

并且其中對于在第一部分區域(28a至28c)的中線(210至214)與第一導電軌(20d)的中線(200)之間的第一間距(A1至A3)適用：所述第一間距(A1至A3)至少為所述第一寬度(B1)的一半與所述第二寬度(B2)的一半之差并且最大為所述第一寬度(B1)的一半與所述第二寬度(B2)的一半之和的80％，

和/或，

其中第二導電軌至少在定向耦合器的區域中是筆直的并且具有第三寬度，

并且其中導電結構在第二部分區域中是筆直的并且具有第四寬度，

并且其中對于在第二部分區域的中線與第二導電軌的中線之間的第二間距適用：所述第二間距至少為所述第三寬度的一半與所述第四寬度的一半之差并且最大為所述第三寬度的一半與所述第四寬度的一半之和的80％。

2.根據權利要求1所述的定向耦合器(10f)，其中，第一導電軌(20f)、第二導電軌(22f1)和導電結構(24f1，24f2)布置在兩個導電軌層(252f，254f)中。

3.根據權利要求1所述的定向耦合器(10f)，其中，所述導電結構(24f1，24f2)布置在與所述第一導電軌(20f)和所述第二導電軌(22f1)不同的導電軌層(254f)中。

4.根據權利要求2所述的定向耦合器(10f)，其中，所述第一導電軌(20f)布置在與所述第二導電軌(22f2)和所述導電結構(24f1)不同的導電軌層(252f)中。

5.根據權利要求2所述的定向耦合器(10g，10h)，其中，第一導電軌(20g，20h)、第二導電軌(22g，22h)和導電結構(24g1，24g2，24h1，24h2)布置在三個導電軌層(252g，254g，256g，252h，254h，256h)中。

6.根據上述權利要求1-5中任一項所述的定向耦合器(10a至10h)，其中，所述導電結構(24a至24h)具有環繞的邊或具有如下長度的中線，該長度小于電磁波的波長的20％，針對該電磁波的傳輸來設計所述第一導電軌(20a至20h)。

7.根據權利要求6所述的定向耦合器(10a至10h)，其中，所述定向耦合器的輸入端與輸出具有設計波長的電磁波的單元耦合。

8.根據上述權利要求1-5中任一項所述的定向耦合器(10b)，其中，所述導電結構(24b)是第一導電結構(24b)，

其中所述定向耦合器(10b)包含第二導電結構(26b)，

并且其中所述第二導電結構(26b)包含第一部分區域(32b)，該第一部分區域與第二導電結構(26b)的第二部分區域(34b)相比更為靠近第一導電結構(24b)地布置，

并且其中所述第二部分區域(34b)與第一導電結構(24b)相比更為靠近第二導電軌(22b)地布置。