[發明專利]太陽能電池的背面接觸設計及其制造方法

有效

• 申請號: 201310756346.X
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104576821A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 程子桓;蔡家弘
• 申請（專利權）人: 臺積太陽能股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0352;H01L31/02;H01L31/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

在直接位于太陽能電池襯底上方的背面接觸層上的多個位置處沉積間隔件；

在所述背面接觸層和所述間隔件的上方形成吸收層，所述吸收層部分地與所述間隔件接觸且部分地與所述背面接觸層直接接觸；以及

加熱所述太陽能電池襯底，以在所述吸收層和所述背面接觸層之間的所述間隔件的位置處形成空隙。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述間隔件的步驟包括在所述背面接觸層上噴射間隔件材料粒子。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述間隔件材料包括金屬氧化物。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述間隔件材料包括二氧化硅或高電阻化合物半導體。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述間隔件材料粒子的尺寸介于約100nm至約500nm之間。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述間隔件的步驟包括：在所述背面接觸層上噴射納米粒子。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述間隔件的步驟包括：

在所述背面接觸層上沉積二氧化硅膜或絕緣膜；以及

使用光刻工藝去除所述二氧化硅膜或絕緣膜的位于所述間隔件的位置外側的部分。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述間隔件的步驟包括：用間隔件材料覆蓋所述背面接觸層的約70%至約80%。

9.一種方法，包括：

在直接位于太陽能電池襯底上方的背面接觸層上的多個位置處噴射間隔件材料；以及

在所述背面接觸層和所述間隔件材料的上方形成吸收層，使得約10%至約80%的所述吸收層與所述間隔件材料直接接觸，以及約90%至約20%的所述吸收層與所述背面接觸層直接接觸。

10.一種太陽能電池，包括：

太陽能電池襯底；

背面接觸層，位于所述太陽能電池襯底的上方；

吸收層，包括吸收層材料且位于所述背面接觸層上方，所述吸收層材料部分地與所述背面接觸層直接接觸，所述吸收層材料其中具有多個空隙，所述空隙直接位于所述背面接觸層上；

緩沖層，位于所述吸收層的上方；以及

正面接觸層，位于所述緩沖層的上方。