[發明專利]一種用CMOS管做開關實現線性功率放大器的高低功率的電路

有效

• 申請號: 201310756100.2
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103701412B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 程鵬志;范穎鵬;孫衛罡;王文申
• 申請（專利權）人: 天津朗波微電子有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02
• 代理公司: 天津濱海科緯知識產權代理有限公司12211
• 代理人: 楊慧玲

1.一種用CMOS管做開關實現線性功率放大器的高低功率的電路，其特征在于：其包括高功率模塊、中低功率模塊和輸出匹配網絡電路二；

高功率模塊包括依次串聯連接的匹配網絡電路一、驅動電路、級間匹配網絡電路、功率輸出電路以及輸出匹配網絡電路一，還包括CMOS管子一和控制電路一，所述CMOS管子一的漏極和匹配網絡電路一的輸出端與驅動電路的輸入端連接處連接，該CMOS管子一的柵極與所述控制電路一的電壓輸出端連接，而CMOS管子一的源極接地；

中低功率模塊包括依次串聯連接的匹配網絡電路二、功率放大器二和第二級匹配網絡電路，還包括CMOS管子二，在該功率放大器二和匹配網絡電路二的輸出端連接處接有CMOS管子二的漏極，所述CMOS管子二的柵極與控制電路二的電壓輸出端連接，CMOS管子二的源極接地；

所述高功率模塊的匹配網絡電路一的輸入端和中低功率模塊的匹配網絡電路二的輸入端并聯連接，且與功率放大器的輸入端串聯；

所述輸出匹配網絡電路一的輸出端與第二級匹配網絡電路的輸出端并聯且與輸出匹配網絡電路二的輸入端串聯。

2.根據權利要求1所述的一種用CMOS管做開關實現線性功率放大器的高低功率的電路，其特征在于：匹配網絡電路一和匹配網絡電路二均由一電感和一電容構成，所述電感的一端與電容的一端連接，該電感的另一端與對應的CMOS管子連接，所述電容另一端接地。

3.根據權利要求1所述的一種用CMOS管做開關實現線性功率放大器的高低功率的電路，其特征在于：還包括三個偏置電路，所述三個偏置電路的偏置電壓輸出端分別與驅動電路、功率輸出電路和功率放大器二連接。

4.根據權利要求3所述的一種用CMOS管做開關實現線性功率放大器的高低功率的電路，其特征在于：所述三個偏置電路均嵌入CMOS裸片中。

5.根據權利要求4所述的一種用CMOS管做開關實現線性功率放大器的高低功率的電路，其特征在于：所述CMOS管子一和CMOS管子二均集成于CMOS裸片上。

6.根據權利要求3、4或5所述的一種用CMOS管做開關實現線性功率放大器的高低功率的電路，其特征在于：所述控制電路一和控制電路二均嵌于CMOS裸片中。