[發(fā)明專利]一種LDMOS器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310754681.6
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103762240A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜寰;朱喜福
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海聯(lián)星電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉杰

1.一種LDMOS器件，包括源極、柵極、漏極，其特征在于，還包括以下結(jié)構(gòu)：硅型襯底，P-epi區(qū)域，P+sinker區(qū)域，P+base區(qū)域，柵氧化層，漂移區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漂移區(qū)包括一個(gè)以上的子區(qū)域，所述一個(gè)以上的子區(qū)域通過分次注入分別得到。

3.如權(quán)利要求1或2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漂移區(qū)長(zhǎng)度為3-5μm；所述漂移區(qū)包括彼此相鄰的LDD1區(qū)和LDD2區(qū)，所述LDD2區(qū)位于LDD1區(qū)上方，所述LDD1區(qū)的注入濃度為1e12至3e12cm^-2，所述LDD2區(qū)的注入濃度為2e11至2e12cm^-2；優(yōu)選地，所述漂移區(qū)長(zhǎng)度為4μm，所述LDD1區(qū)的注入濃度為2e12cm^-2，所述LDD2區(qū)的注入濃度為1.2e12cm^-2；進(jìn)一步優(yōu)選地，所述LDD1區(qū)為深結(jié)區(qū)域，LDD2區(qū)為淺結(jié)區(qū)域。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漂移區(qū)通過兩次注入形成，其中LDD1區(qū)的結(jié)深約1μm；優(yōu)選地，通過使用相同的掩膜板進(jìn)行兩次注入形成。

5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的LDMOS器件，其特征在于，進(jìn)一步包括：a)所述柵氧化層邊緣具有鳥嘴結(jié)構(gòu)；b)制備中包括側(cè)墻工藝，所述側(cè)墻工藝操作在P+base注入后，在LDD注入之前進(jìn)行，并且，c)包括源場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，所述源場(chǎng)板結(jié)構(gòu)通過源極金屬延伸到漂移區(qū)上方覆蓋所述漂移區(qū)所形成；優(yōu)選地，所述鳥嘴結(jié)構(gòu)的厚度約為

6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的LDMOS器件，其特征在于，所述硅型襯底為摻雜濃度為4e17的P+的硅型襯底；其上為所述P-epi區(qū)域，所述P-epi區(qū)域摻雜濃度為1.2e15、厚度為6μm；所述P+sinker區(qū)域采用高能注入B雜質(zhì)，高溫推阱后形成；所述柵氧化層厚度為所述柵極由多晶硅淀積摻雜和刻蝕形成，刻蝕長(zhǎng)度優(yōu)選為1μm。

7.一種LDMOS器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在P+的硅型襯底上外延p-epi區(qū)域；

（2）高能注入B雜質(zhì)，高溫推阱后形成P+sinker區(qū)域；

（3）形成柵氧化層；

（4）進(jìn)行多晶硅的淀積摻雜和刻蝕，形成柵電極（柵極）；

（5）進(jìn)行所述P+base區(qū)域的注入和/或擴(kuò)散，以及，所述漂移區(qū)的注入和/或擴(kuò)散；

優(yōu)選地，所述LDMOS器件的制備方法用于制備如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的LDMOS器件。

8.如權(quán)利要求7所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述步驟（5）進(jìn)一步包括以下步驟：

（5.1）進(jìn)行P+base的注入和所述漂移區(qū)的所述LDD1區(qū)的注入；

（5.2）同時(shí)進(jìn)行P+base區(qū)域的擴(kuò)散和LDD1區(qū)域的擴(kuò)散；

（5.3）擴(kuò)散過程后進(jìn)行所述漂移區(qū)的所述LDD2區(qū)的注入。

9.如權(quán)利要求7或8所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，還包括：a)在柵極生成后還包括熱氧化柵隔板步驟，以在柵極邊緣形成鳥嘴結(jié)構(gòu)；b)在P+base注入之后增加側(cè)墻工藝，以減少源極和漂移區(qū)在溝道下的擴(kuò)散；c)源極金屬覆蓋漂移區(qū)形成源場(chǎng)板（Source?Field?Plate，SFP）結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于，LDD2區(qū)同LDD1區(qū)使用相同的掩膜板。