[發(fā)明專利]一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310754257.1 | 申請日： | 2013-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103648236A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李長生;嚴(yán)來良;文澤生;安國義 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市深聯(lián)電路有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人： | 張曉霞 |
| 地址： | 518104 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 pcb 金屬 局部 開窗 方法 | ||
1.一種改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，其特征在于，包括：
S101、對高頻PCB進(jìn)行全板電鍍，使板邊、槽邊、孔邊銅厚控制為3μm?~10μm；
S102、對上述高頻PCB進(jìn)行外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)板面位置的干膜比板邊、槽邊、孔邊長0.05mm~0.10mm；
S103、對上述高頻PCB進(jìn)行圖形電鍍，使板邊、槽邊、孔邊的銅厚控制在20μm?~30μm；
S104、進(jìn)行外層蝕刻；
S105、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層圖形制作，且使需要金屬包邊開窗對應(yīng)的板面位置比板邊、槽邊、孔邊短0.05mm~0.15mm；
S106、對上述高頻PCB進(jìn)行第二次外層蝕刻，使開窗尺寸達(dá)到0~0.5mm，精度為+/-0.05mm，蝕刻后退膜和退錫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，其特征在于，步驟S101之前還包括：對覆銅板進(jìn)行開料，然后進(jìn)行內(nèi)層圖形制作、AOI檢測、壓合、鉆孔、等離子處理和沉銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，其特征在于，步驟S106之后還包括：對高頻PCB進(jìn)行AOI檢測、阻焊、文字、表面處理、成型及電測。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善PCB金屬包邊局部開窗的方法，其特征在于，步驟S104中，外層蝕刻，蝕刻依線寬公差+/-10%控制，不退錫。
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