[發明專利]存儲器的形成方法

有效

• 申請號: 201310754227.0
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104752362B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 鄒陸軍;李紹彬;仇圣棻
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成浮柵材料層；

圖形化所述浮柵材料層及襯底，以形成位于襯底上的浮柵以及位于浮柵之間的襯底中的開口；

在所述開口內部形成隔離材料層；

對所述浮柵頂部以及隔離材料層頂部進行第一化學機械研磨，以平坦化所述浮柵的上表面，其中，第一化學機械研磨僅將浮柵表面的凸起部磨平；

去除浮柵之間的部分隔離材料層，位于所述襯底中的隔離材料層形成隔離結構；

在所述浮柵側壁、上表面以及隔離結構表面形成絕緣層；所述絕緣層完全覆蓋浮柵側壁、上表面以及隔離結構表面，所述絕緣層的材料為ONO復合結構。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在化學機械研磨的步驟中，拋光頭的壓力在0～3磅每平方英寸以內。

3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在第一化學機械研磨的步驟中，拋光頭的轉速在0～60轉每分以內。

4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在第一化學機械研磨的步驟中，拋光溶液的流速在0～500毫升每分以內。

5.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，圖形化所述浮柵材料層及襯底的步驟包括：

在浮柵材料層上形成硬掩模層；

圖形化所述硬掩模層，使硬掩模層形成對應浮柵形狀的硬掩模圖形；以所述硬掩模圖形為掩模，對硬掩模圖形露出的浮柵材料層及襯底進行刻蝕，形成位于襯底上的浮柵以及位于浮柵之間的襯底中的開口。

6.根據權利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述開口內部形成隔離材料層的步驟包括：在所述開口內部以及硬掩模層之間填充隔離材料，所述隔離材料覆蓋所述硬掩模層，形成隔離材料層。

7.根據權利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述開口內部形成隔離材料層的步驟包括：

對所述硬掩模圖形和所述隔離材料層進行第二化學機械研磨，去除多余的隔離材料層，使剩余隔離材料層與硬掩模圖形的表面齊平，所述第二化學機械研磨的研磨強度大于第一化學機械研磨的研磨強度。

8.根據權利要求7所述的形成方法，其特征在于，在第二化學機械研磨之后進行第一化學機械研磨步驟之前，還包括：去除硬掩模圖形和位于硬掩模圖形之間的隔離材料層。

9.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除浮柵之間的隔離材料層的步驟包括，采用濕法或干法刻蝕去除浮柵之間的隔離材料層。

10.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成絕緣層以后，還包括：在浮柵頂部的絕緣層表面形成控制柵。

11.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成控制柵以后，還包括：在浮柵露出的襯底中形成源區、漏區。