[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310754038.3
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104752223A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張海洋;任佳
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成柵極；

在所述柵極的側(cè)壁上形成側(cè)墻；

在所述柵極、側(cè)墻以及襯底上形成沉積層，所述沉積層與所述襯底的材料相同；

在形成所述沉積層后，對所述柵極兩側(cè)的沉積層以及襯底進行摻雜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成柵極的步驟包括：形成多晶硅柵極。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成側(cè)墻的步驟包括：在所述柵極的側(cè)壁上形成第一側(cè)墻，在第一側(cè)墻的側(cè)壁上形成第二側(cè)墻；形成沉積層、進行摻雜的步驟包括：在形成第二側(cè)墻之前，在所述柵極、第一側(cè)墻以及襯底上形成第一沉積層，所述第一沉積層與所述襯底的材料相同；

在形成所述第一沉積層后，對所述柵極兩側(cè)的第一沉積層以及襯底進行第一摻雜；以及，

在形成第二側(cè)墻之后，在所述第一側(cè)墻、第二側(cè)墻以及襯底上形成第二沉積層，所述第二沉積層與所述襯底的材料相同；

在形成第二沉積層后，對所述柵極兩側(cè)的第二沉積層、第一沉積層以及襯底進行第二摻雜，以形成源區(qū)以及漏區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻為二氧化硅或者氮化硅側(cè)墻。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在形成柵極的步驟之后，形成側(cè)墻的步驟之前，還包括以下步驟：在所述襯底以及柵極上形成第三沉積層，所述第三沉積層與所述襯底的材料相同。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述襯底、第一沉積層、第二沉積層以及第三沉積層均采用硅作為材料。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一沉積層、第二沉積層以及第三沉積層的厚度不超過20埃。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一沉積層、第二沉積層以及第三沉積層均采用原子層沉積的方法形成。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一沉積層、第二沉積層以及第三沉積層的材料為硅，原子層沉積的反應(yīng)氣體包括二氯二氫硅以及氫氣。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在原子層沉積的過程中，使沉積的氣壓在5～50托的范圍內(nèi)，沉積溫度在400～800攝氏度的范圍內(nèi)；二氯二氫硅的流量在10～500標(biāo)況毫升每分，氫氣的流量在1～100標(biāo)準(zhǔn)升每分鐘。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一沉積層、第二沉積層以及第三沉積層的材料為硅，原子層沉積的反應(yīng)氣體包括乙硅烷。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在原子層沉積的過程中，使沉積的氣壓在100～500托的范圍內(nèi)，沉積溫度在400～600攝氏度的范圍內(nèi)；乙硅烷的流量在500～1500標(biāo)準(zhǔn)升每分鐘。

13.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，進行第一摻雜的步驟包括：對所述柵極兩側(cè)的第一沉積層進行輕摻雜，或者，對所述柵極兩側(cè)的第一沉積層以及襯底進行輕摻雜。

14.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻為氮氧化物側(cè)墻。

15.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

設(shè)于所述襯底上的柵極；

設(shè)于所述柵極的側(cè)壁的側(cè)墻；

設(shè)于所述柵極、側(cè)墻以及襯底上的沉積層，所述沉積層與所述襯底的材料相同。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

所述側(cè)墻包括第一側(cè)墻以及第二側(cè)墻；

所述沉積層包括第一沉積層以及第二沉積層，其中：所述第一沉積層設(shè)于

所述襯底、柵極以及第一側(cè)墻上；

所述第二側(cè)墻設(shè)于所述第一沉積層上；

所述第二沉積層設(shè)于第一沉積層以及第二側(cè)墻上。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述柵極與所述第一側(cè)墻之間還設(shè)有第三沉積層，所述第三沉積層位于所述襯底與第一沉積層之間，所述第三沉積層與所述襯底的材料相同。

18.如權(quán)利要求16或者17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底、第一沉積層、第二沉積層以及第三沉積層的材料為硅。

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一沉積層、第二沉積層以及第三沉積層的厚度不超過20埃。