[發明專利]用于檢測CDSEM機臺的方法、晶圓、晶圓的制作方法

有效

• 申請號: 201310753940.3
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104752407B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 曹艷;龔太成;黃怡;蔡博修
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種用于檢測CDSEM機臺的焦點偏移的檢測晶圓，其特征在于，所述檢測晶圓包括：

襯底；

氧化層，設置在所述襯底的上表面上，并形成間隔布置的多個氧化層單元；

多晶硅層，設置在所述氧化層上，并形成與所述多個氧化層單元一一對應的具有預定器件寬度的多晶硅層單元；

TaN層，覆蓋在所述襯底裸露的上表面、各所述多晶硅層單元上表面和側表面以及各所述氧化層單元的側表面上。

2.根據權利要求1所述的檢測晶圓，其特征在于，所述TaN層的厚度為

3.一種權利要求1所述的檢測晶圓的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述襯底上形成氧化層；

在所述氧化層上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上設置光刻膠層，并對所述光刻膠層進行圖形化處理形成光刻膠圖案；

以所述光刻膠圖案為掩膜對所述多晶硅層和所述氧化層進行刻蝕，形成間隔布置的多個氧化層單元和多晶硅層單元；

在所述多晶硅層和所述襯底上沉積所述TaN層，所述TaN層覆蓋在所述襯底上、各所述多晶硅層單元上表面和側表面、各所述氧化層單元的側表面。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述TaN層的沉積方法為等離子體增強化學氣相沉積法、高密度等離子體化學氣相沉積法或原子層沉積法。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，采用所述原子層沉積法形成所述TaN層的過程包括：向原子層沉積反應腔中通入NH3和鉭金屬化合物，且以所述NH3和所述鉭金屬化合物通過所述原子層沉積反應腔作為一個周期，重復所述周期15～25次，得到厚度為的TaN層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述鉭金屬化合物選自五(乙基甲基氨基)鉭、五(二甲基氨基)鉭和五(二乙基氨基)鉭組成的組中的一種或多種，各所述周期中所述NH3的流量為1200～1700sccm，所述鉭金屬化合物的流量為400～600sccm。

7.一種用于檢測CDSEM機臺的焦點偏移的檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

提供權利要求1或2所述的檢測晶圓；

利用所述CDSEM機臺測量所述檢測晶圓的器件寬度，所述器件寬度為所述預定器件寬度和覆蓋在所述多晶硅層單元的側表面上的TaN層的厚度之和，當所述器件寬度的測量結果出現異常表明所述CDSEM機臺的焦點發生偏移。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括還原所述檢測晶圓的TaN層的過程。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述還原TaN層的過程包括利用混合氣體吹掃所述檢測晶圓的TaN層，其中，所述混合氣體包括還原性氣體和惰性氣體。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述還原性氣體為氫氣，所述惰性氣體為氮氣。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述混合氣體由體積比為3～5:97～95的所述氫氣和所述氮氣組成，所述吹掃的時間為1～5min，流量為1500～4500sccm。