[發明專利]一種干法刻蝕機及其刻蝕方法

有效

• 申請號: 201310753880.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103745904A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 劉思洋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 蔡曉紅

技術領域

本發明涉及液晶顯示器基板的刻蝕技術領域，尤其涉及一種干法刻蝕機及其刻蝕方法。

背景技術

在目前的液晶顯示面板陣列基板制造過程中，薄膜刻蝕有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種。對于一般的a-Si、SiNx、SiOx以及一些金屬膜的刻蝕，多采用干法刻蝕。然而，干法刻蝕機反應室內的氣體易受機械泵抽氣的影響，從而使得刻蝕均勻性受到一定的影響，基板四周刻蝕速率較中心高，從而影響了干法刻蝕的均勻性。

發明內容

本發明的目的在于，為了克服現有技術中存在的干法刻蝕均勻性較差的缺陷，提供了一種具有良好的均勻性的干法刻蝕機及其刻蝕方法。

本發明提供一種干法刻蝕機，用于對基板上多個刻蝕區域進行薄膜刻蝕，包括反應室以及設置于所述反應室中的上電極板和下電極板，所述上電極板上開設有多個用于向所述反應室中通入氣體的通氣孔，所述多個通氣孔與所述多個刻蝕區域一一對應設置；所述干法刻蝕機還包括：

與所述反應室連接的流量控制器，用于交替地控制所述多個通氣孔中的氣流量；

多個刻蝕速率檢測裝置，分別設置在靠近所述基板的多個刻蝕區域處，用于檢測所述多個刻蝕區域的刻蝕速率；

中央控制器，分別與所述流量控制器以及所述多個刻蝕速率檢測裝置電連接，用于獲取所述多個刻蝕區域的刻蝕速率，并在至少兩個所述刻蝕區域的刻蝕速率不等時，控制所述流量控制器調整與所述至少兩個刻蝕區域相對應的通氣孔的氣流量，以使所述多個刻蝕區域的刻蝕速率均相等。

上述的干法刻蝕機中，所述刻蝕速率檢測裝置包括厚度檢測器和計時器，所述厚度檢測器用于檢測所述多個刻蝕區域在預設時間段內薄膜的厚度，所述計時器用于計量所述預設時間段。

上述的干法刻蝕機中，所述上電極板呈方形，所述多個通氣孔分別為：設置在所述上電極板的中心位置處的中心孔、設置在所述上電極的四個直角位置處的第一組邊緣通氣孔以及設置在所述每兩個直角位置之間的第二組邊緣通氣孔。

上述的干法刻蝕機中，所述反應室呈長方體形，所述反應室的頂部設置有所述上電極板，所述反應室的底部、與所述上電極板對應的位置處設置有所述下電極板。

上述的干法刻蝕機中，所述下電極板的相對兩端分別設置有一對擋板，所述一對擋板均固定在所述反應室的底部，用于使所述下電極板固定。

上述的干法刻蝕機中，所述反應室的底部還開設有至少一個抽氣孔，每個所述抽氣孔設置在所述下電極板的一側，所述抽氣孔用于排出所述反應室中的廢氣。

上述的干法刻蝕機中，所述反應室中還設置有內壁板，所述內壁板環所述反應室的內側壁一周設置，用于加強所述反應室的強度。

本發明還提供一種如上述的干法刻蝕機的干法刻蝕方法，包括以下步驟：

S1、在利用所述反應室中的氣體對所述基板進行薄膜刻蝕時，所述多個刻蝕速率檢測裝置對所述多個刻蝕區域的刻蝕速率進行檢測；并將檢測值發送至所述中央控制器；

S2、當所述中央控制器判斷出至少兩個所述刻蝕區域的刻蝕速率不等時，所述中央控制器控制所述流量控制器調整與所述至少兩個刻蝕區域對應的通氣孔的氣流量，以使所述多個刻蝕區域的刻蝕速率均相等。

上述的干法刻蝕方法中，所述步驟S1包括：

S11、所述厚度檢測器對預設時間段內所述多個刻蝕區域的薄膜厚度進行檢測，并將檢測值發送至所述中央控制器；

S12、采用計時器計量所述預設時間段，并將所述預設時間段發送至所述中央控制器；

S13、所述中央控制器根據接收到的厚度值及預設時間段計算出所述多個刻蝕區域的刻蝕速率。

實施本發明的有益效果在于：本發明通過設置刻蝕速率檢測裝置對基板上各個刻蝕區域的薄膜的刻蝕速率進行檢測，并將檢測結果發送至中央控制器，中央控制器對檢測結果進行分析，如果發現至少兩個刻蝕區域的刻蝕速率不等時，則控制流量控制器對該至少兩個刻蝕區域對應的通氣孔的氣流量進行控制，從而使得基板上各個刻蝕區域的刻蝕速率相等，進而提高刻蝕的均勻性。

附圖說明

下面將結合附圖及實施例對本發明作進一步說明，附圖中：

圖1為本發明提供的干法刻蝕機的實施例的結構示意圖；

圖2為圖1中上電極板的橫截面示意圖。

具體實施方式