[發明專利]去邊檢測裝置及檢測方法有效
| 申請號: | 201310753733.8 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103715115B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發明(設計)人: | 戴文俊 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;B24B37/005 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊檢 裝置 檢測 方法 | ||
1.一種去邊檢測裝置,用于檢測固定于旋轉平臺上晶圓的去邊量,其特征在于,包括:
探測組件,包括信號發射器、第一信號接收器和第二信號接收器,所述信號發射器和第一信號接收器固定于支撐框架上并與所述晶圓的上表面相對應,所述第二信號接收器固定于所述支撐框架上并與所述晶圓的下表面相對應;當所述探測組件逐漸向晶圓的圓心移動時,所述信號發射器向所述晶圓發射探測信號,當信號發射器開始位于晶圓的邊緣的正上方時,晶圓邊緣會對信號發射器發射的光信號起到遮擋作用,導致第二信號接收器接收到的信號發生改變并獲得第一探測結果信號;控制上述探測組件繼續向晶圓的圓心移動,該第二信號接收器接收到的信號逐漸變弱,根據晶圓去邊位置附近是否存在銅鍍層以及銅鍍層是否平坦化,第一信號接收器接收到的信號逐漸變強并強到一恒定的度數,此時獲得第二探測結果信號;
支撐框架,用于固定所述探測組件;
傳動組件,與所述支撐框架相連接;
控制單元,控制所述傳動組件來推動固定于所述支撐框架上的探測組件在晶圓徑向方向上平行移動,并記錄所述第一探測結果信號和第二探測結果信號所對應的行進距離,以計算出所述晶圓的去邊量。
2.根據權利要求1所述的一種去邊檢測裝置,其特征在于,所述支撐框架為一橫置的“凹”形框架,其中,所述探測組件固定在與所述晶圓表面相對應的所述支撐框架的側壁上。
3.根據權利要求1所述的一種去邊檢測裝置,其特征在于,所述信號發射器發射的信號為光信號,其中,所述光信號受到晶圓遮擋或晶圓表面物質的影響會導致信號接收器接收信號的變化。
4.根據權利要求1所述的一種去邊檢測裝置,其特征在于,所述傳動組件為絲桿。
5.根據權利要求1所述的一種去邊檢測裝置,其特征在于,所述控制單元為伺服電機。
6.一種去邊檢測方法,其特征在于,包括:
提供一種根據權利要求1至5任意一項所述的去邊檢測裝置;
由控制單元通過傳動組件來控制探測組件在晶圓徑向方向上平行移動;所述信號發射器向所述晶圓發射探測信號,當信號發射器開始位于晶圓的邊緣的正上方時,晶圓邊緣會對信號發射器發射的光信號起到遮擋作用,導致第二信號接收器接收到的信號發生改變并獲得第一探測結果信號;控制上述探測組件繼續向晶圓的圓心移動,該第二信號接收器接收到的信號逐漸變弱,根據晶圓去邊位置附近是否存在銅鍍層以及銅鍍層是否平坦化,第一信號接收器接收到的信號逐漸變強并強到一恒定的度數,此時獲得第二探測結果信號;
然后,所述控制單元根據所述第一探測結果信號和第二探測結果信號所對應的行進距離,計算出所述晶圓的去邊量。
7.根據權利要求6所述的一種去邊檢測方法,其特征在于,所述探測組件獲得所述第一探測結果信號時,所述控制單元記錄此時的行進距離為第一測量值;所述探測組件獲得所述第二探測結果信號時,所述控制單元記錄此時的行進距離為第二測量值;然后,根據所述第一測量值和第二測量值計算出晶圓的去邊量。
8.根據權利要求6所述的一種去邊檢測方法,其特征在于,檢測出晶圓的去邊值之后還包括:由旋轉平臺帶動晶圓旋轉,所述去邊檢測裝置連續的檢測出晶圓的去邊形貌,以判斷所述去邊形貌是否與晶圓形成一同心圓,進而判斷出晶圓去邊后的平坦化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





