[發(fā)明專利]粘附促進劑有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310753600.0 | 申請日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN103788881A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王子棟;M·K·加拉赫;K·Y·王;G·P·普羅科普維茨 | 申請(專利權(quán))人: | 羅門哈斯電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C09J5/02 | 分類號: | C09J5/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 粘附 促進劑 | ||
1.一種制造裝置的方法,該方法包括:
提供具有待涂敷表面的裝置基材;
用含有聚烷氧基硅烷和溶劑的粘附促進組合物處理該待涂敷的表面,其中所述聚烷氧基硅烷被≤1摩爾%的水水解,并且所述組合物含有≤1摩爾%的水解醇;
將涂料組合物施加在所述處理過的表面上,所述涂料組合物包含選自以下的低聚物:聚芳撐低聚物,聚環(huán)烯烴低聚物,芳基環(huán)丁烯低聚物,乙烯基芳族低聚物,以及它們的混合物。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述裝置基材是電子裝置基材。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中所述電子裝置基材包括含有一種或多種硅,玻璃,陶瓷和金屬的表面。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述聚烷氧基硅烷在被水解前具有以下結(jié)構(gòu)式:
其中,每個R獨立地選自(C1-C6)次烷基,(C1-C6)亞烷基,(C6-C10)的亞芳基和(C2-C6)的亞烯基;每個R1獨立地選自氫,(C1-C6)烷基和(C1-C6)酰基;每個Z獨立選自(C1-C6)烷基,(C2-C6)烯基和-OR1;X=(C6-C10)亞芳基,O,S,S-S,S-S-S,S-S-S-S,N(Y),P(Y)或共價鍵;Y=氫,(C1-C6)烷基,(C1-C6)亞烷基-N(Y1)2,(C2-C6)烯基,(C1-C6)亞烷基-Si(Z)2(OR1),或芳基(甲基)丙烯酰基;并且Y1=氫,(C1-C6)烷基或(C2-C6)烯基;其中每個R任選地被一個或多個(C1-C6)次烷基-Si(Z)2(OR1)和(C1-C6)亞烷基-Si(Z)2(OR1)所取代。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中聚烷氧基硅烷被≤0.5摩爾%的水水解。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中芳基環(huán)丁烷低聚物具有以下結(jié)構(gòu)式:
其中B是n-價連接基團;Ar是多價芳基,并且環(huán)丁烯環(huán)的碳原子被鍵合到Ar的相同芳環(huán)上的相臨的碳原子上;m是1或更大的整數(shù);n是1或更大的整數(shù);并且R5是單價基團。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中粘附促進組合物通過動態(tài)光散射測定的平均粒度≤1nm。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其進一步包括在處理步驟后,涂敷步驟前的溶劑去除的步驟。
9.一種組合物,其含有:低聚物,該低聚物選自聚芳撐低聚物,聚環(huán)烯烴低聚物,芳基環(huán)丁烯低聚物,乙烯基芳族低聚物,及其混合物;被≤1摩爾%的水水解的聚烷氧基硅烷;和溶劑;其中所述組合物含有≤1摩爾%的水解醇。
10.如權(quán)利要求9所述的組合物,其中聚烷氧基硅烷被≤0.5摩爾%的水水解。
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