[發明專利]TFT陣列基板的電容及其制造方法和相關設備

有效

• 申請號: 201310753392.4
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103715207B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 李小和;邵賢杰
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 宋焰琴

技術領域

本發明屬于圖像顯示技術領域，具體涉及TFT陣列基板，特別是一種TFT陣列基板的電容、該電容的制造方法，以及具有該電容的移位寄存器、柵極驅動器陣列基板和顯示裝置。

背景技術

圖像顯示面板采用M×N點排列的逐行掃描矩陣顯示，其包括用于控制發光源的陣列基板。以TFT-LCD(薄膜場效應晶體管液晶顯示器)為例，陣列基板的驅動器主要包括柵極驅動器(掃描驅動器)和數據驅動器，其中，柵極驅動器將輸入的時鐘信號通過移位寄存器轉換后加在液晶顯示面板的柵線上。

移位寄存器常用于液晶顯示面板的柵極驅動器中，每一個柵線與移位寄存器的一個級電路單元對接。通過柵級驅動電路輸出柵級輸入信號，逐行進行掃描各像素。柵級驅動電路可以以COF(Chip On Film，覆晶薄膜)或者COG(Chip On Glass，玻璃芯片)的封裝方式設置在顯示面板中，也可以用TFT(薄膜場效應晶體管)構成集成電路單元形成在顯示面板中。對于液晶顯示面板，柵極驅動器GOA(Gate On Array)設計可以使得產品成本降低，也可以減去一道工序，提高產能。

一般的TFT-LCD的柵極驅動器的移位寄存器由若干個TFT與電容構成。圖1為現有的一種TFT-LCD柵極驅動器的移位寄存器的級聯圖。從圖1中可以看到每一級的移位寄存器SR的輸入端Input輸入的信號都是上一級移位寄存器SR的輸出端Output輸出的信號；每一級的移位寄存器SR的復位端Reset的輸出信號都是下一級移位寄存器SR的輸出端Output輸出的信號。由此實現液晶顯示器柵極驅動電路GOA的逐行打開，從而實現屏幕的顯示。

圖2為現有的一種移位寄存器的級的示意圖。如圖2所示，該移位寄存器SR包括多個TFT M1～M13和電容C1。隨著目前窄邊框的市場需求，移位寄存器的尺寸，尤其電容的大小越來越制約該方向的發展，優化移位寄存器的尺寸已成為目前當務之急。目前已有很多種現有技術用于優化減少TFT的個數，而電容作為移位寄存器的必須基本單元，必不可少，而且電容至少需要一個，大小需要至少需要幾個皮法(pf)到幾十個皮法，即通常所占面積由1000μm²到1000000μm²。通常在做TFT-LCD的柵極驅動器的移位寄存器時，會把電容的一個電極作為TFT柵極層，另一電極使用TFT源漏層制造。TFT柵極層和TFT源漏層一般是金屬制作的，不透光。

對于目前基本所有產品，由于邊框較窄，封框膠與GOA區域有交疊，而由于邊框較窄，CF(彩膜)側黑矩陣(BM)遮擋基本覆蓋封框膠區域，只能從TFT側進行封框膠的UV固化，此時，需將電容進行鏤空設計，以便UV光的通過，固化seal膠。

如果還要考慮到封框膠的紫外光固化需要將電容鏤空設計的空間，電容的面積還需增加50％左右，這樣嚴重影響了邊框的大小。通常的ADS(Advanced Super Dimension Switch超維場轉換技術)產品液晶工藝按順序分為TFT柵極層、柵極絕緣層、第一ITO層(像素電極)、TFT有源層、TFT源漏層，然后為TFT鈍化層，最后一層為第二ITO層(Com電極)。

通常在做TFT-LCD的柵極驅動器的移位寄存器時，會把電容的一個電極使用TFT柵極層，另一電極使用TFT源漏層制造。此時電容的結構如圖3A和3B所示。

圖3A和圖3B分別顯示了與封框膠無交疊時以及封框膠有交疊時的的電容設計，如圖3A和圖3B所示，現有的電容由在玻璃基板1上依次形成的TFT柵極層2、柵極絕緣層3和TFT源漏層4構成。

此時TFT源漏層4與TFT柵極層2之間的柵極絕緣層3的厚度大概在又因為TFT柵極層2與TFT源漏層4都是不透光的金屬材料，如果考慮封框膠的固化，TFT柵極層2與TFT源漏層4還得采取挖空設計，如果要保證電容不變，TFT柵極層2與TFT源漏層4的正對面積不能減小，這樣就得增大這個區域所占的空間，以保證電容大小。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明所要解決的技術問題是現有的TFT陣列基板的電容的尺寸過大，使得TFT陣列基板的邊框不能窄化。

(二)技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供一種TFT陣列基板的電容，所述TFT陣列基板包括形成在襯底基板上的TFT柵極層、柵極絕緣層、第一ITO層、TFT有源層、TFT源漏層、鈍化層和第二ITO層，所述電容由該第一ITO層、鈍化層和第二ITO層構成。