[發明專利]一種改善視角特性的頂發射OLED器件在審
| 申請號: | 201310752797.6 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103779501A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 李維維;劉嵩;何麟 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 視角 特性 發射 oled 器件 | ||
本發明公開了一種改善視角特性的頂發射OLED器件。該結構包括基板、第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、第二電極、光輸出耦合層;本發明中,通過增加空穴注入層的折射率,破壞了第一電極的反射光與發光層的發射光相干涉增強的條件,從而減弱了OLED器件中的廣角干涉,使得微腔效應得到抑制。同時,配合超薄的第二電極結構,并輔助以光輸出耦合層,提高了發光層所發出的光的透射率和光導出率。本發明的上述方案可解決頂發射OLED中隨視角偏移,發光性質降低的技術問題,特別適用于平板顯示領域。
技術領域
本發明涉及有機電致發光器件領域,具體涉及一種改善視角特性的頂發射OLED器件。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱OLED)作為新型的主動式發光的顯示器件,其質量輕、厚度薄、具有較強的抗震性,同時其采用有機半導體發光,材料選擇范圍寬,可實現可見光范圍的全彩顯示,易實現白光照明。與現有主流的液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)相比,其視角更寬,響應速度更快,無需背光照明,發光效率高,且可實現柔性顯示,是最具潛力取代LCD的顯示器件。
OLED器件按照發光位置,可分為底發射OLED(Bottom Emitting OLED,簡稱BEOLED)和頂發射OLED(Top Emitting OLED,簡稱TEOLED)兩種。其中,BEOLED是將OLED制作在覆蓋有透明的銦錫氧化物(Indium Tin Oxides,簡稱ITO)或銦鋅氧化物(Indium ZincOxides,簡稱IZO)電極的玻璃襯底上,當對OLED施加電壓時,OLED發出的光經透明ITO(或IZO)電極和玻璃襯底從底部射出。在BEOLED結構中,透明ITO(或IZO)電極與驅動OLED的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)相連,存在OLED發光面積與TFT競爭的問題,導致器件開口率(Aperture Ratio)較低。而頂發射OLED是將不透明的全反射電極覆蓋在玻璃或硅襯底上,再制作OLED,對OLED施加電壓時,光從頂部的透明或半透明陰極射出。基于頂發射OLED器件的顯示器中,驅動OLED的TFT制作于OLED下方,出光面與TFT分開,這可以使開口率低的問題得到根本解決。
頂發射OLED中包含全反射電極和半透明電極,這種結構會形成微腔效應,由于微腔效應產生了強烈的多光束干涉,對光源具有選擇、窄化和加強等作用,常被用來提高器件的色度、加強特定波長的發射強度及改變器件的發光顏色等,但是微腔效應的存在會影響器件的視角特性,即隨視角的偏移,發光峰發生偏移,導致顯示器亮度的差異與色度的漂移等問題。
目前改善頂發射OLED視角特性的方案一般是在陰極上加一層光輸出耦合層,如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bathocuproine,簡稱BCP)等高折射率低吸收率的有機物,或在半透明的陰極表面蒸鍍一層高折射率的電介質ZnSe、ZnS等作為耦合層,提高透射率和光導出率,進而降低多光束干涉的影響,但隨著多光束干涉被抑制,微腔效應中的另一種廣角干涉產生了作用,而上述方案不能解決廣角干涉的問題,因此上述方案對OLED器件中微腔效應的抑制作用有限,視角特性無法得到有效改善。
發明內容
為此,本發明所要解決的技術問題在于改善頂發射OLED器件中隨視角偏移,亮度和色度產生偏差的現象,從而提出一種改善視角特性的頂發射OLED器件。
為解決上述技術問題,本發明的采用的技術方案如下:
本發明提供一種改善視角特性的頂發射OLED器件,包括基板以及在基板上疊加設置的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、第二電極、光輸出耦合層;所述第二電極的透光率不小于25%,所述空穴注入層的折射率不小于1.8。
上述的改善視角特性的頂發射OLED器件,所述第二電極為銦錫氧化物或銦鋅氧化物或金屬銀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





