[發(fā)明專利]一種掩膜板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310752500.6
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103668056A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝志生;丁濤;蘇君海;柯賢軍;何基強(qiáng);李建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種掩膜板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：提供基板；

S2：減薄所述基板的中部區(qū)域，形成掩膜區(qū)域，未減薄區(qū)域形成掩膜框；

S3：對(duì)掩膜區(qū)域中待形成掩膜圖案塊的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成掩膜通孔和掩膜線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，步驟S2和步驟S3之間還包括：

S21：減薄所述掩膜區(qū)域中待形成掩膜圖案塊的區(qū)域，以在未減薄區(qū)域形成支撐條。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板制作方法，其特征在于，步驟S21中的所述減薄的過(guò)程具體為對(duì)所述掩膜區(qū)域中待形成掩膜圖案塊的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，僅去除部分掩膜區(qū)域材料，以對(duì)待形成掩膜圖案塊區(qū)域進(jìn)行減薄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，步驟S2中的減薄工藝為機(jī)械加工的切削工藝或磨切工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，步驟S3具體包括：

在所述掩膜區(qū)域的第一表面進(jìn)行第一次半刻蝕，在需要形成掩膜通孔的地方形成凹槽；

在所述掩膜區(qū)域與所述第一表面相對(duì)的第二表面進(jìn)行第二次半刻蝕，將所述掩膜區(qū)域的第二表面上與所述凹槽對(duì)應(yīng)的位置刻蝕至形成掩膜通孔。

6.一種掩膜板，其特征在于，包括：掩膜和位于所述掩膜外圍的掩膜框，其中，所述掩膜板采用權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的掩膜板制作方法制作形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的掩膜框厚度范圍為5mm-20mm，包括端點(diǎn)值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜包括掩膜圖案塊和支撐條，其中所述支撐條位于所述掩膜圖案塊外的區(qū)域，且所述支撐條的厚度大于所述掩膜圖案塊的掩膜線厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述支撐條的厚度范圍為1mm-2mm，包括端點(diǎn)值。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜板，其特征在于，所述支撐條的邊緣與所述掩膜圖案塊的邊緣之間的距離大于0.5mm。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜圖案塊中掩膜線的厚度范圍為0.03mm-0.1mm，包括端點(diǎn)值。

12.根據(jù)權(quán)利要求6-11任意一項(xiàng)所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的材質(zhì)為金屬、或金屬合金、或不銹鋼。