[發明專利]具光學匹配層結構的觸控面板及該光學匹配層的成形方法在審
| 申請號: | 201310752402.2 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN104750293A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | 郭崇倫;林漢倫;魏滄亮 | 申請(專利權)人: | 勝華科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;C03C17/34 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁紀鐵 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 匹配 結構 面板 成形 方法 | ||
1.一種具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:包含:
一基板;
一圖案化電極,設置于該基板上;以及
一光學匹配層結構,設置于該基板與該圖案化電極之間,其中該光學匹配層包含:
一第一薄膜層,成形在該基板,并具有一成形在該基板表面的第一表面、及一反向于該第一表面的第二表面;
一第二薄膜層,成形在該第一薄膜層,并具有一成形在該第二表面的第三表面、及一反向于該第三表面且供該圖案化電極成形的第四表面。
2.如權利要求1所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:更包含一保護層,設置于該圖案化電極上且至少部份覆蓋該圖案化電極。
3.如權利要求1所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述圖案化電極具有多個第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的多個第二軸向電極。
4.如權利要求3所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述各第一軸向電極包含多個電極部、及電性連接相鄰電極部且對應各該第二軸向電極的多個橋接部,該些橋接部與各該第二軸向電極之間設有一絕緣層。
5.如權利要求3所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:更包含多個導線及多個外圍走線位于該圖案化電極的至少一側,其中各該導線與各該外圍走線電性連接,且各該第一軸向電極與各該第二軸向電極分別經由各該導線與各該外圍走線電性連接。
6.如權利要求5所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:更包含一保護層,設置于該第二薄膜層的第四表面并覆蓋該圖案化電極、該些導線與該些外圍走線,其中該保護層具有至少一接觸開口且該接觸開口至少暴露部分該外圍走線。
7.如權利要求5所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:更包含一裝飾層,設置于該第一薄膜層的第一表面與該基板的表面之間,該裝飾層位于該觸控面板周邊的至少一側并至少對應該些導線及該些外圍走線配置。
8.如權利要求5所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述圖案化電極與該些外圍走線為相同導電材料。
9.如權利要求5所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述些導線與該些外圍走線為相同導電材料。
10.如權利要求5所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述圖案化電極、該些導線與該些外圍走線為相同導電材料。
11.如權利要求1所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述第一薄膜層的折射率大于該第二薄膜層的折射率。
12.如權利要求1所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述第一薄膜層為一氮化硅層,該第二薄膜層為一硅氧化物層,且該氮化硅層的折射率值介于1.75至1.95之間,該硅氧化物層的折射率值介于1.55至1.42之間。
13.一種具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:包含:
一基板;
一圖案化電極,設置于該基板上;以及
一光學匹配層結構,設置于該基板,且該圖案化電極位于該光學匹配層結構與該基板之間,其中該光學匹配層包含:
一第一薄膜層,成形在該基板且包覆該圖案化電極,并具有一成形在該基板表面的第一表面、一反向于該第一表面的第二表面、及一連接該第一表面并成形在該圖案化電極表面的第三表面;
一第二薄膜層,成形在該第一薄膜層,并具有一成形在該第二表面的第四表面、及一反向于該第四表面的第五表面。
14.如權利要求13所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述圖案化電極具有多個第一軸向電極及與該些第一軸向電極絕緣的多個第二軸向電極。
15.如權利要求14所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:所述各第一軸向電極包含多個電極部、及電性連接相鄰電極部且對應各該第二軸向電極的多個橋接部,該些橋接部與各該第二軸向電極之間設有一絕緣層。
16.如權利要求15所述的具光學匹配層結構的觸控面板,其特征在于:更包含一保護層,設置于該第二薄膜層的第五表面且至少對應該絕緣層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于勝華科技股份有限公司;,未經勝華科技股份有限公司;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310752402.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





