[發明專利]調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝有效
| 申請號： | 201310752241.7 | 申請日： | 2013-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104746006A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 田立飛;夏威 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | C23C14/18 | 分類號： | C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 陳振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調節 tiw 薄膜 應力 pvd 制備 工藝 | ||
1.一種調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，包括如下步驟：
S100：將待加工的基片置于基座上；
S200：通入第一流量的氬氣；
S300：沉積步驟；對直流電源施加第一功率并保持第一預設時間；
S400：冷卻步驟；停止對直流電源施加功率并保持第二預設時間；
S500：重復步驟S300和S400直至達到所需的薄膜厚度。
2.根據權利要求1所述的調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，所述第一預設時間為5s至30s，所述第二預設時間為60s至360s。
3.根據權利要求2所述的調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，在步驟S300之前還包括步驟S310：
S310：所述直流電源點火起輝。
4.根據權利要求2所述的調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，所述氬氣的第一流量在整個制備工藝中保持不變。
5.根據權利要求4所述的調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，所述氬氣的第一流量為40至200sccm。
6.根據權利要求1所述的調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，沉積氣壓在整個制備工藝中保持不變，所述沉積氣壓為2.0至7.3mT。
7.根據權利要求1所述的調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，所述直流電源的第一功率在整個制備過程中保持不變，所述直流電源的第一功率為100W至2000W。
8.根據權利要求1所述的調節TiW薄膜應力的PVD制備工藝，其特征在于，所制得的薄膜厚度為4000埃。
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