[發(fā)明專利]原子層沉積裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310751630.8
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104746048A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設計）人: 吳基榮
• 申請（專利權(quán)）人: 麗佳達普株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 許向彤;陳英俊

1.一種原子層沉積裝置，包括：

反應室；

所述反應室中設置的承受器，所述承受器允許其上面放置多個基板；

氣體噴射器，所述氣體噴射器設置在所述承受器上方并且將所述承受器上方限定的空間分隔成多個預定的空間，所述氣體噴射器供應來源氣、反應氣和吹掃氣到所分隔的各個空間中分別設置的基板上；以及

排氣單元，所述排氣單元設置在所述承受器的上方并且設置成與所述氣體噴射器相鄰，所述排氣單元向上引導來源氣、反應氣和吹掃氣的排氣流。

2.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積裝置，其中，所述氣體噴射器包括：

來源氣噴射器和反應氣噴射器，設置在所述反應室的上部空間中，以分別供應所述來源氣和所述反應氣到所述基板上；以及

吹掃氣噴射器，設置在所述來源氣噴射器與所述反應氣噴射器之間，以供應吹掃氣到所述基板，其中所述來源氣噴射器、所述反應氣噴射器和所述吹掃氣噴射器被定向成放射狀并以規(guī)則的角間距布置。

3.如權(quán)利要求2所述的原子層沉積裝置，其中，所述排氣單元包括呈放射狀定向且圍繞所述排氣單元的中心以規(guī)則的角間距布置的板子，使得所述來源氣噴射器與所述吹掃氣噴射器之間以及所述反應氣噴射器與所述吹掃氣噴射器之間的每個區(qū)域被所述排氣單元的對應的板子分隔成兩個區(qū)域。

4.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積裝置，其中，所述排氣單元中形成有多個排氣孔，

其中，所述排氣孔形成在與所述氣體噴射器上形成氣體噴射孔的方向相同的方向上或者與所述氣體噴射孔的方向垂直的方向上，或者所述排氣孔形成為這樣一種方式：一些所述排氣孔被定向在與所述氣體噴射孔的方向相同的方向上，并且其他的所述排氣孔被定向在與所述氣體噴射孔的方向垂直的方向上。

5.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積裝置，其中，所述排氣單元中縱向地形成狹槽，

其中，所述狹槽形成在與所述氣體噴射器上形成氣體噴射孔的方向相同的方向上或者與所述氣體噴射孔的方向垂直的方向上，或者所述狹槽包含多個狹槽并且形成為這樣一種方式：一些所述狹槽被定向在與所述氣體噴射孔的方向相同的方向上，并且其他的所述狹槽被定向在與所述氣體噴射孔的方向垂直的方向上。

6.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積裝置，其中，所述排氣單元被支撐在所述反應室的蓋子的下表面上或者所述反應室的內(nèi)側(cè)壁上。

7.如權(quán)利要求1至6的任一項所述的原子層沉積裝置，其中，所述氣體噴射器獨立地供應來源氣、反應氣和吹掃氣。

8.如權(quán)利要求1至6的任一項所述的原子層沉積裝置，其中，所述氣體噴射器同時供應來源氣、反應氣和吹掃氣。

9.如權(quán)利要求2所述的原子層沉積裝置，其中，在所述來源氣噴射器上設置等離子體發(fā)生器。