[發明專利]一種等離子體處理裝置及其運行方法

有效

• 申請號: 201310751529.2
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104752141B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 許頌臨;李俊良
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司31002
• 代理人: 王潔

1.一種等離子體處理裝置，包括：

反應腔，反應腔內包括一個基座，基座上設置有靜電夾盤，待處理基片設置在所述靜電夾盤上；

一調節環圍繞在所述靜電夾盤外圍，其中所述調節環包括一個固定環和一個位于固定環上方的移動環，其中：

固定環圍繞所述靜電夾盤或基座，固定環上表面包括一個支持面，支持面上包括一個凹槽，所述移動環的底面形狀與所述固定環的支持面匹配，所述移動環包括緊貼靜電夾盤并位于待處理基片邊緣下方的第一部分，所述第一部分具有第一高度的上表面，一個具有第二高度上表面的第二部分位于所述第一部分外圍，所述移動環的第二部分下表面包括一個突出部與下方固定環上的凹槽位置匹配，

一個驅動裝置驅動所述移動環的第二部分在較低的第一位置和較高的第二位置間上下移動，其中在移動到第二位置時所述突出部下端仍然位于凹槽中。

2.如權利要求1所述等離子體處理裝置，其特征在于，所述移動環的突出部和凹槽具有垂直的側壁，且在移動到第二位置時所述突出部側壁與凹槽內側壁的間距小于1mm。

3.如權利要求1所述等離子體處理裝置，其特征在于，所述移動環的第一部分和第二部分同步升降。

4.如權利要求1所述等離子體處理裝置，其特征在于，所述移動環的第一部分固定在所述固定環上方。

5.如權利要求1所述等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一部分和第二部分之間還包括過渡部分，過渡部分的上表面在第一高度和第二高度之間逐漸變化。

6.如權利要求2所述等離子體處理裝置，其特征在于，所述移動環移動到第二位置時移動環下表面和固定環支持面之間存在間隙。

7.如權利要求1所述等離子體處理裝置，其特征在于，所述調節環由石英或者碳化硅或者氧化鋁制成。

8.如權利要求1所述等離子體處理裝置，其特征在于，所述驅動裝置包括一個驅動桿穿過所述固定環連接到移動環，所述驅動桿下端連接到一個用于使驅動桿上下可控移動的電機或者氣缸。

9.一種如權利要求1所述等離子體處理裝置的運行方法，其特征在于，多次完成對所述待處理基片的等離子處理后，所述驅動裝置驅動所述移動環的第二部分上升，使移動環第二部分的上表面相對基片表面具有固定的高度差。