[發明專利]一種有機器件薄膜封裝方法及裝置

有效

• 申請號: 201310750783.0
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103762321B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 招炎初;朱紅波
• 申請（專利權）人: 中山市貝利斯特包裝制品有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;C23C16/44
• 代理公司: 北京高航知識產權代理有限公司11530
• 代理人: 趙永強

1.一種有機器件薄膜封裝方法，其特征在于，采用PECVD的沉積方法對有機器件進行薄膜封裝，包括如下步驟：

(1)向PECVD腔室中通入脈沖流量的有機硅前驅體，在氧氣和/或氮氣過量的環境下在所述有機器件表面沉積無機薄膜；

(2)向所述PECVD腔室中通入脈沖流量的有機硅前驅體，在氧氣和/或氮氣適量的環境下在所述有機器件表面沉積介于無機薄膜和有機薄膜之間的過渡層薄膜；

(3)向所述PECVD腔室中通入固定流量的有機硅前驅體，在無氧氣和氮氣的環境下在所述有機器件表面沉積有機薄膜；

(4)重復所述步驟(1)～步驟(3)2～10次；所述步驟(1)～(3)中分別還包括：向所述PECVD腔室中通入固定流量的輔助氣體，用于提高氧氣和/或氮氣離化率；所述步驟(1)中的無機薄膜厚度為1nm～5μm，所述步驟(2)中的過渡層薄膜厚度為1nm～5μm，所述步驟(3)中的有機薄膜厚度為1nm～5μm；所述步驟(2)中氧氣和/或氮氣的量是連續變化的，即從沉積無機薄膜時氧氣和/或氮氣量漸變到沉積有機薄膜時無氧氣和/或氮氣，在所述有機器件表面形成無明顯界面的無機薄膜、過渡層薄膜和有機薄膜的交替結構。

2.如權利要求1所述的有機器件薄膜封裝方法，其特征在于，所述輔助氣體為氬氣。

3.如權利要求1所述的有機器件薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)和步驟(2)中脈沖流量的周期是可調節的，范圍為5～50ms。

4.一種有機器件薄膜封裝裝置，其特征在于，包括PECVD腔室、有機硅前驅體源瓶、氧氣和/或氮氣源瓶和輔助氣體源瓶，所述有機硅前驅體源瓶、所述氧氣和/或氮氣源瓶和所述輔助氣體源瓶分別通過管路與所述PECVD腔室的進氣口相連通；所述有機硅前驅體源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上設有脈沖閥，所述有機硅前驅體源瓶通過所述脈沖閥向所述PECVD腔室中通入脈沖流量的有機硅前驅體；所述有機硅前驅體源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上依次設有第一普通閥、第一流量計和第二普通閥，所述第二普通閥與所述脈沖閥為并聯連接；所述氧氣和/或氮氣源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上依次設有第三普通閥、第二流量計和第四普通閥。

5.如權利要求4所述的有機器件薄膜封裝裝置，其特征在于，所述輔助氣體源瓶與所述PECVD腔室之間的管路上依次設有第五普通閥、第三流量計和第六普通閥。