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[發明專利]液晶面板及其制作方法在審

專利信息
申請號: 201310750577.X 申請日: 2013-12-31
公開(公告)號: CN103728763A 公開(公告)日: 2014-04-16
發明(設計)人: 呂啟標 申請(專利權)人: 深圳市華星光電技術有限公司
主分類號: G02F1/1333 分類號: G02F1/1333
代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 代理人: 胡海國
地址: 518132 廣東*** 國省代碼: 廣東;44
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 液晶面板 及其 制作方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及液晶顯示領域,尤其涉及液晶面板及其制作方法。

背景技術

顯示器在人們日常生活中已經無法或缺,顯示器的類型包括CRT(Cathode?Ray?Tube,陰極射線管)、LED(Light?Emitting?Diode,發光二極管)、TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display,薄膜晶體管液晶顯示器)、PDP(Plasma?Display?Panel,等離子)等,目前市面上顯示器絕大多數為TFT-LCD類型。

TFT-LCD顯示器主要是由對立設置的彩膜基板和陣列基板組成,陣列基板經過陣列工藝在基板上形成電路矩陣(掃描線、數據線等)等,彩膜基板經過彩色濾光片工藝在基板上形成黑色矩陣及紅綠藍相間的彩膜,然后通過對組工藝將陣列基板和彩膜基板對組貼合,并在兩片基板間滴上液晶,涂上封框膠然后對盒,再經過后續模組工序就形成了成品(例如,TFT-LCD電視、顯示器等)。

然而,隨著TFT-LCD顯示器尺寸越來越大(一般在32寸以上),在陣列基板和彩膜基板對組的過程中,處于對組上方的基板容易發生彎曲形變,使得陣列基板和彩膜基板的對位發生偏移,造成遮擋掃描線邊緣區域的黑色矩陣的位置也發生偏移,不再遮擋掃描線邊緣區域,導致掃描線邊緣區域出現漏光的現象,嚴重影響了TFT-LCD顯示器的顯示效果。

上述內容僅用于輔助理解本發明的技術方案,并不代表承認上述內容是現有技術。

發明內容

本發明的主要目的為提供液晶面板及其制作方法,旨在實現有效避免掃描線邊緣區域出現漏光的現象,提高了大尺寸液晶面板的顯示效果。。

為了實現上述目的,本發明提出一種液晶面板,包括:相對設置的第一基板和第二基板,所述第一基板朝向所述第二基板的一側上設置有第一光間隙物,所述第二基板朝向所述第一基板的一側上設置有襯墊,所述襯墊與所述第一光間隙物相對應,所述第二基板朝向所述第一基板的一側上還設置有TFT,所述TFT設置有垂直相交的多條掃描線和多條數據線,所述第一基板朝向所述第二基板的一側上還設置有第二光間隙物和第三光間隙物,所述第二光間隙物與所述TFT沿所述掃描線方向的一側相對應,所述第三間隙物與所述TFT沿所述掃描線方向的另一側相對應。

優選地,所述第三間隙物遠離所述第一基板的一端與所述第二基板具有間隙。

優選地,所述第三間隙物靠近所述TFT的一側與所述TFT具有間隙。

優選地,所述第一間隙物的厚度小于所述第二間隙物的厚度,所述第二間隙物的厚度與所述第三間隙物的厚度相同。

優選地,所述第一基板為彩膜基板,所述第二基板為陣列基板,所述TFT包括位于陣列基板朝向彩膜基板一側的柵絕緣層、有源層、鈍化層,所述襯墊包括所述形成的柵絕緣層、有源層或鈍化層材料中的單層或多層。

優選地,所述第一基板為彩膜基板,所述第二基板為陣列基板,所述彩膜基板朝所述陣列基板的一側設置有黑色矩陣、設置于黑色矩陣之間的色阻及覆蓋所述色阻和所述黑色矩陣的公用電極,所述第一間隙物、所述第二間隙物及所述第三間隙物設置在所述公用電極上。

優選地,所述第一基板為彩膜基板,所述第二基板為陣列基板,所述多條掃描線和所述多條數據線圍成多個像素單元,每個所述像素單元還包括與TFT的漏極相連的像素電極。

本發明進一步提出一種液晶面板的制作方法,該方法包括步驟:

提供第一基板,在所述第一基板上形成第一光間隙物、第二光間隙物及第三間隙物;

提供第二基板,在所述第二基板上依次形成TFT的柵極、柵絕緣層、有源層、源極/漏極金屬層、鈍化層,同時,在對應第一光間隙物處形成襯墊,所述第二光間隙物與所述TFT沿所述掃描線方向的一側相對應,所述第三間隙物與所述TFT沿所述掃描線方向的另一側相對應;

在鈍化層內形成接觸孔,在鈍化層上形成像素電極,所述像素電極通過接觸孔和漏極金屬層電連接;

在第一基板和第二基板之間灌注液晶層,并貼合所述第一基板、第二基板以形成液晶面板。

優選地,所述提供第一基板,在所述第一基板上形成第一光間隙物、第二光間隙物及第三間隙物的步驟包括:

提供第一基板,在所述第一基板上沉積并蝕刻出黑色矩陣,在所述黑色矩陣之間的所述第一基板上形成色阻;

形成覆蓋所述色阻和所述黑色矩陣的公用電極;

在所述公用電極上形成第一間隙物、第二間隙物和第三間隙物。

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