[發(fā)明專利]一種顯示器及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310750189.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103926755B | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊育青 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02F1/1343 | 分類號(hào)： | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 361101 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 顯示器 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示器，其特征在于，包括：
相對(duì)設(shè)置的TFT基板以及彩膜基板，所述TFT基板包括：第一TFT元件以及第二TFT元件，所述第一TFT元件與第二TFT元件之間透光區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)；
設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的像素單元，所述像素單元位于所述像素區(qū)的表面上，所述像素單元包括：設(shè)置在所述TFT基板朝向所述彩膜基板一側(cè)表面的透明參考電位層；設(shè)置在所述參考電位層上的不透明形變層，所述形變層與所述參考電位層絕緣；
其中，所述第一TFT元件的輸出電極與所述參考電位層電連接；所述第二TFT元件的輸出電極與所述形變層電連接；所述形變層根據(jù)其與所述參考電位層的電壓差，以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生與所述電壓差對(duì)應(yīng)程度的彈性形變，以改變所述形變層對(duì)所述像素區(qū)的覆蓋面積；
所述像素區(qū)的透光面積等于像素區(qū)總面積減去形變層的覆蓋面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，還包括：
覆蓋所述連接部分的保護(hù)層，所述保護(hù)層用于固定所述連接部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，所述TFT基板與所述彩膜基板之間設(shè)置有支撐部件，所述形變層發(fā)生最大形變時(shí)，所述支撐部件的厚度大于所述形變層最高點(diǎn)與所述TFT基板上表面的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器，其特征在于，所述支撐部件形狀為圓柱結(jié)構(gòu)、立方體結(jié)構(gòu)、球體結(jié)構(gòu)、椎體結(jié)構(gòu)或棱臺(tái)結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，還包括：
設(shè)置在所述彩膜基板背離所述TFT基板一側(cè)表面、用于防止靜電的透明導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其特征在于，所述像素單元所處空間為壓強(qiáng)不大于標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，且僅填充抑制氧化氣體的密閉空間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器，其特征在于，所述抑制氧化氣體為氮?dú)狻⒒蚴侨我庖环N惰性氣體、或多種惰性氣體的混合氣體、或氮?dú)馀c一種或是多種惰性氣體的混合氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的顯示器，其特征在于，所述形變層的材料為鈦、銅、銀或鋁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的顯示器，其特征在于，所述形變層的厚度為1nm-10000nm，包括端點(diǎn)值。
10.一種顯示器的制作方法，其特征在于，包括
提供一TFT基板，所述TFT基板包括：第一TFT元件以及第二TFT元件；
在所述TFT基板上表面的絕緣層形成與所述第一TFT元件的輸出電極貫通的第一凹槽以及與所述第二TFT元件的輸出電極貫通的第二凹槽；
在所述TFT基板上表面形成參考電位層，所述參考電位層通過所述第一凹槽與所述第一TFT元件的輸出電極電連接；
在所述參考電位層上形成形變層，所述形變層通過所述第二凹槽與所述第二TFT元件的輸出電極電連接，所述形變層與所述參考電位層絕緣；
提供一彩膜基板，將所述彩膜基板與所述TFT基板貼合，所述形變層以及參考電位層位于所述彩膜基板與所述TFT基板之間；
其中，所述形變層能夠以其與所述TFT基板的固定連接部分為固定軸發(fā)生不同程度的彈性形變，以改變其對(duì)所述第一TFT元件與第二TFT元件之間像素區(qū)的覆蓋面積；
所述像素區(qū)的透光面積等于像素區(qū)總面積減去形變層的覆蓋面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，在將所述彩膜基板與所述TFT基板貼合之前，還包括，在所述彩膜基板背離所述TFT基板一側(cè)表面形成透明導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述TFT基板與所述彩膜基板密封設(shè)置，且二者之間填充抑制氧化氣體。
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