[發明專利]氧化物薄膜晶體管及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310750079.5
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103715268A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 李紅敏;李小和;董職福;張曉潔;薛偉
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種氧化物薄膜晶體管，包括：

基板；

柵極，形成在所述基板上；

柵極絕緣層，形成在所述柵極上；

氧化物有源層，形成在所述柵極絕緣層上；

蝕刻阻擋層，形成在所述氧化物有源層上，且所述蝕刻阻擋層上具有開口；

源/漏電極，形成在所述蝕刻阻擋層上，所述源/漏電極通過接觸層、并經由所述蝕刻阻擋層上的所述開口與所述氧化物有源層電連接；

其中，所述接觸層由與所述氧化物有源層相同成分的氧化物材料制成，所述接觸層與所述氧化物有源層的氧化物材料的含氧量不同，所述接觸層表現為導體特性，所述氧化物有源層表現為半導體特性。

2.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層和/或所述蝕刻阻擋層由所述相同成分的氧化物材料制成，所述柵極絕緣層和/或所述蝕刻阻擋層的氧化物材料與所述氧化物有源層的氧化物材料的含氧量不同，所述柵極絕緣層和/或所述蝕刻阻擋層表現為絕緣介質特性。

3.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣層與所述氧化物有源層之間和/或所述蝕刻阻擋層與所述氧化物有源層之間還包括由所述相同成分的氧化物材料制成的過渡層，所述過渡層的氧化物材料與所述氧化物有源層的氧化物材料的含氧量不同，所述過渡層表現為絕緣介質特性。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述相同成分的氧化物材料為IGZO。

5.一種氧化物薄膜晶體管，包括：

基板；

柵極，形成在所述基板上；

柵極絕緣層，形成在所述柵極上；

氧化物有源層，形成在所述柵極絕緣層上；

蝕刻阻擋層，形成在所述氧化物有源層上，且所述蝕刻阻擋層上具有開口；

源/漏電極，形成在所述蝕刻阻擋層上，所述源/漏電極經由所述蝕刻阻擋層上的所述開口與所述氧化物有源層電連接；

其中，所述柵極絕緣層和/或所述蝕刻阻擋層由與所述氧化物有源層相同成分的氧化物材料制成，所述柵極絕緣層和/或所述蝕刻阻擋層的氧化物材料的含氧量與所述氧化物有源層的氧化物材料的含氧量不同，所述氧化物有源層表現為半導體特性，所述柵極絕緣層和/或所述蝕刻阻擋層表現為絕緣介質特性。

6.根據權利要求5所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述源/漏電極與所述氧化物有源層之間還包括接觸層，所述源/漏電極通過所述接觸層與所述氧化物有源層電連接，所述接觸層由與所述氧化物有源層相同成分的氧化物材料制成，所述接觸層與所述氧化物有源層、所述柵極絕緣層、所述蝕刻阻擋層的氧化物材料的含氧量不同，所述接觸層表現為導體特性。

7.根據權利要求5或6所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述相同成分的氧化物材料為IGZO。

8.一種氧化物薄膜晶體管，包括：

基板；

柵極，形成在所述基板上；

柵極絕緣層，形成在所述柵極上；

氧化物有源層，形成在所述柵極絕緣層上；

蝕刻阻擋層，形成在所述氧化物有源層上，且所述蝕刻阻擋層上具有開口；

源/漏電極，形成在所述蝕刻阻擋層上，所述源/漏電極經由所述蝕刻阻擋層上的所述開口與所述氧化物有源層電連接；

其中，所述柵極絕緣層與所述氧化物有源層之間和/或所述蝕刻阻擋層與所述氧化物有源層之間還包括由與所述氧化物有源層相同成分的氧化物材料制成的過渡層，所述過渡層的氧化物材料與所述氧化物有源層的氧化物材料的含氧量不同，所述氧化物有源層表現為半導體特性，所述過渡層表現為絕緣介質特性。

9.根據權利要求8所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述源/漏電極與所述氧化物有源層之間還包括接觸層，所述源/漏電極通過所述接觸層與所述氧化物有源層電連接，所述接觸層由與所述氧化物有源層相同成分的氧化物材料制成，所述接觸層與所述氧化物有源層、所述過渡層的氧化物材料的含氧量不同，所述接觸層表現為導體特性。

10.根據權利要求8或9所述的氧化物薄膜晶體管，其中，所述相同成分的氧化物材料為IGZO。

11.一種顯示裝置，包括權利要求1至10中任一項所述的氧化物薄膜晶體管。