[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及等離子體加工設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310749858.3
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN104746042A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李國榮;楊盟;邢濤;符雅麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): C23C16/452
• 分類號(hào): C23C16/452;H05H1/46
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種反應(yīng)腔室，包括承載裝置，所述承載裝置設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)，用于承載被加工工件，在所述承載裝置的側(cè)壁外側(cè)和所述反應(yīng)腔室的內(nèi)側(cè)壁之間設(shè)置有一個(gè)懸臂，其特征在于，在所述承載裝置的側(cè)壁外側(cè)和所述反應(yīng)腔室的內(nèi)側(cè)壁之間還設(shè)置有至少一個(gè)輔助裝置，至少一個(gè)所述輔助裝置和所述懸臂沿所述承載裝置的周向間隔且均勻設(shè)置，并且

阻擋所述反應(yīng)腔室氣體流動(dòng)的每個(gè)所述輔助裝置和所述懸臂的上表面相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，每個(gè)所述輔助裝置的結(jié)構(gòu)與所述懸臂的結(jié)構(gòu)相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，每個(gè)所述輔助裝置包括輔助板和固定件，所述固定件固定在所述承載裝置的側(cè)壁外側(cè)和所述反應(yīng)腔室的內(nèi)側(cè)壁上的對(duì)應(yīng)位置，用于支撐所述輔助板；

所述輔助板設(shè)置在所述固定件上，且阻擋所述反應(yīng)腔室內(nèi)氣體流動(dòng)的所述輔助板和所述懸臂的上表面相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，每個(gè)所述輔助裝置的上表面與所述懸臂的上表面在同一水平面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，每個(gè)所述輔助裝置的上表面的形狀與所述懸臂的上表面的形狀相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括進(jìn)氣裝置，所述進(jìn)氣裝置設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的頂部，且與設(shè)置在所述反應(yīng)腔室外部的工藝氣源相連通，用于向所述反應(yīng)腔室內(nèi)提供工藝氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括排氣裝置，所述排氣裝置設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的底部，用于將位于所述反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體由上至下排出所述反應(yīng)腔室。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)還設(shè)置有內(nèi)襯，所述內(nèi)襯沿所述反應(yīng)腔室的內(nèi)周壁設(shè)置，且與所述承載裝置的外周壁相連接，用于限定所述反應(yīng)腔室內(nèi)氣體的分布，并且

阻擋所述氣體由上至下排出的所述內(nèi)襯上設(shè)置有排氣口，以使所述排氣裝置將氣體經(jīng)由所述排氣口由上至下排出所述反應(yīng)腔室。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述懸臂為空心結(jié)構(gòu)，用以作為所述承載裝置與外部裝置相連接的通道。

10.一種等離子體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室采用權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室。