[發(fā)明專利]帶有絕緣埋層的高壓晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310748915.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103762232B | 公開（公告）日： | 2016-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魏星;徐大偉;狄增峰;方子韋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/772 | 分類號(hào)： | H01L29/772;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孫佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶有 絕緣 高壓 晶體管 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海新傲科技股份有限公司，未經(jīng)上海新傲科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310748915.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：用于自動(dòng)評(píng)估寫作的基于示例的錯(cuò)誤檢測(cè)系統(tǒng)、方法及錯(cuò)誤檢測(cè)設(shè)備
- 下一篇：利用編碼具有硫解酶、HMG-COA合酶和HMG-COA還原酶酶活性的多肽的基因產(chǎn)生甲羥戊酸、異戊二烯和類異戊二烯
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
