[發明專利]半導體器件和制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310747387.2
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103915499B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: F.希爾勒;C.坎彭;A.邁澤
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,胡莉莉

1.一種半導體器件，包括晶體管，所述晶體管被形成在具有第一主表面的半導體襯底中，所述晶體管包括：

溝道區，被摻雜有具有第一導電類型的摻雜劑；

源極區，被摻雜有具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型的摻雜劑；

漏極區，被摻雜有具有所述第二導電類型的摻雜劑；

漏極延伸區；

鄰近所述溝道區的柵極電極；

所述溝道區被設置在脊的第一部分中，所述漏極延伸區被設置在所述脊的第二部分中，所述漏極延伸區包括被摻雜為具有所述第一導電類型的芯部，所述漏極延伸區進一步包括被摻雜為具有所述第二導電類型的覆蓋部分，所述覆蓋部分鄰近所述脊的第二部分的至少一個或兩個側壁，

其中所述晶體管還包括：

場板，被設置得鄰近所述漏極延伸區；和

場電介質，被設置在所述漏極延伸區的所述覆蓋部分和所述場板之間。

2.根據權利要求1的半導體器件，其中所述場板的部分被至少設置在所述脊的第二部分的兩側。

3.根據權利要求1的半導體器件，其中所述柵極電極和所述場板彼此隔離。

4.根據權利要求1的半導體器件，其中以相對于所述柵極電極自對齊的方式設置所述覆蓋部分。

5.根據權利要求1的半導體器件，其中所述源極區被設置在所述脊的第三部分中鄰近所述溝道區。

6.根據權利要求5的半導體器件，其中所述源極區被設置得鄰近所述脊的第三部分的頂側和側壁，所述脊的第三部分的芯部被摻雜有具有所述第一導電類型的摻雜劑并且形成體接觸路徑。

7.根據權利要求6的半導體器件，進一步包括被設置為與所述體接觸路徑接觸的塊體接觸。

8.根據權利要求1的半導體器件，其中所述覆蓋部分鄰近所述脊的第二部分的頂側和側壁。

9.一種集成電路，包括根據權利要求1的半導體器件。

10.一種半導體器件，包括晶體管，所述晶體管被形成在具有第一主表面的半導體襯底中，所述晶體管包括：

溝道區，被摻雜有具有第一導電類型的摻雜劑；

源極區，被摻雜有具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型的摻雜劑；

漏極區，被摻雜有具有所述第二導電類型的摻雜劑；

漏極延伸區；

鄰近所述溝道區的柵極電極；

所述溝道區被設置在脊的第一部分中，所述漏極延伸區被設置在所述脊的第二部分中，所述漏極延伸區包括被摻雜為具有所述第一導電類型的芯部，所述漏極延伸區進一步包括被摻雜為具有所述第二導電類型的覆蓋部分，所述覆蓋部分鄰近所述脊的第二部分的至少一個或兩個側壁，

其中所述脊的第二部分具有與所述脊的第一部分的寬度不同的寬度。

11.一種半導體器件，包括形成在脊中的晶體管，所述脊形成在半導體襯底的第一主表面中，所述晶體管包括：

在所述脊的至少一部分中的第一導電類型的溝道區；

漏極延伸區，被設置在所述脊的另一部分中，所述漏極延伸區包括所述第一導電類型的芯部和第二導電類型的覆蓋部分，所述覆蓋部分被至少設置在所述脊的一個或兩個側壁處；

所述第二導電類型的源極區和漏極區；

柵極結構，被設置到所述脊的相對側壁，沿所述源極區和所述漏極區之間的第一方向設置所述溝道區和所述漏極延伸區，所述第一方向平行于所述第一主表面；以及

場板和場介電層，所述場板鄰近所述漏極延伸區，所述場介電層被設置在所述覆蓋部分和所述場板之間。

12.根據權利要求11的半導體器件，其中所述源極區被設置在所述脊的頂側和兩個側壁處，在所述源極區的位置處的所述脊的芯部被摻雜有具有所述第一導電類型的摻雜劑。

13.根據權利要求11的半導體器件，其中所述覆蓋部分鄰近所述脊的頂側和側壁。