[發明專利]一種制造碳化硅微粉的真空冶煉爐

無效

• 申請號: 201310747357.1
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103787332A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 芮華;牛登付
• 申請（專利權）人: 吳江億泰真空設備科技有限公司
• 主分類號: C01B31/36
• 分類號: C01B31/36
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 張惠忠

1.一種制造碳化硅微粉的真空冶煉爐，包括真空冶煉爐的爐體（1）、與爐體連接的真空系統（11）和送料裝置（12），其特征在于：所述爐體內設有坩堝（2），坩堝（2）外裝有加熱電極（3），所述加熱電極（3）的四周裝有保溫材料（4），所述坩堝（2）的底部裝有出料管（5），所述出料管（5）末端通入高壓氣體噴射口（6），所述高壓氣體噴射口（6）與空氣壓縮機（7）連接。

2.根據權利要求1所述的制造碳化硅微粉的真空冶煉爐，其特征在于：所述爐體頂端設有裝有噴射閥門提升裝置（8），所述噴射閥門提升裝置的塞桿（9）置于坩堝（2）底部的出料管（5）管口上。

3.根據權利要求1所述的制造碳化硅微粉的真空冶煉爐，其特征在于：所述出料管（5）外側裝有第二加熱電極（10）。

4.根據權利要求3所述的制造碳化硅微粉的真空冶煉爐，其特征在于：所述第二加熱電極（10）周圍裝有保溫材料（4）。

5.根據權利要求1所述的制造碳化硅微粉的真空冶煉爐，其特征在于：所述坩堝（2）以及連接坩堝（2）底部的出料管（5）都用鎢金屬制造。