[發明專利]用于制備用于成像的樣本的方法

在審

• 申請號: 201310747134.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103913363A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: M.施米特;J.布拉克伍德;S.斯通;S.H.李;R.凱利
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: G01N1/32
• 分類號: G01N1/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 謝攀;王忠忠

1.一種制備用于分析的樣本的方法，所述方法包括：

將離子束導向工件以去除材料并使表面暴露，被暴露的表面具有不規則性；

將材料沉積在被暴露的表面上，沉積的材料使不規則性平滑；

將離子束導向工件以從被暴露的表面去除至少部分沉積的材料和部分材料來產生平滑的表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述樣本材料是多孔材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積的材料通過前體材料的離解來形成，并且所述前體材料通過使被暴露的表面暴露于電子、離子、X射線、光、熱、或微波輻射來激活，因此前體材料離解成形成沉積的非揮發性部分和揮發性部分。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括使用帶電粒子束沉積來將保護層沉積在工件的表面上。

5.根據權利要求1所述的方法，其中將離子束導向工件以去除材料包括垂直于工件表面地引導離子束。

6.根據權利要求1所述的方法，其中將材料沉積在被暴露的表面上包括傾斜工件并使用帶電粒子束沉積來沉積材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將離子束導向工件以去除材料和使表面暴露包括使用第一射束電流來引導離子束，并且其中將離子束導向工件以去除沉積的材料包括使用小于第一射束電流的第二射束電流來引導離子束。

8.根據權利要求1所述的方法，其中將離子束導向工件以去除材料并使表面暴露包括引導來自等離子體離子源的離子束，所述離子束具有大于50nA的射束電流。

9.根據權利要求1所述的方法，其中將離子束導向工件以去除材料包括切割溝槽以暴露橫斷面以供掃描電子顯微鏡觀察。

10.根據權利要求1所述的方法，其中將離子束導向工件以去除材料包括形成薄片以供在透射電子顯微鏡上觀察。

11.根據權利要求1所述的方法，其中將離子束導向工件包括將離子束導向由不同硬度的材料層所組成的工件，所述離子束在穿過較硬的層之后在較軟的層上產生不規則性。

12.根據權利要求1所述的方法，其中將離子束導向工件包括將離子束導向由至少金屬層和金屬氧化物或氮化物的層所組成的工件。

13.根據權利要求1所述的方法，進一步包括將離子束導向工件以使第二面暴露，將材料層沉積在被暴露的第二樣本面上。

14.一種帶電粒子束裝置，包括：

離子源；

用于將離子聚焦到樣本真空腔室中的工件上的聚焦鏡筒；

用于在工件表面處提供前體氣體的氣體注入系統；

用于根據存儲的計算機可讀指令來控制帶電粒子束系統的操作的控制器；以及

存儲用于控制帶電粒子束系統以進行以下動作的計算機指令的計算機可讀存儲器：

將離子束導向工件以去除材料并使表面暴露，被暴露的表面具有不規則性；

將材料沉積在被暴露的表面上，沉積的材料使不規則性平滑；

將離子束導向工件以從被暴露的表面去除沉積的材料和部分材料來產生平滑的橫斷面。

15.一種用計算機程序配置的非臨時計算機可讀存儲介質，其中如此配置的所述存儲介質使計算機控制帶電粒子束系統執行權利要求1的方法的步驟。