[發明專利]一種用于圖像傳感器的結構的制造方法有效
| 申請號: | 201310747025.3 | 申請日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN103681722B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發明(設計)人: | 顧學強;周偉;陳力山 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 圖像傳感器 結構 制造 方法 | ||
1.一種用于圖像傳感器的結構的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:在襯底上形成多個像素單元,每一所述像素單元包括光電二極管、傳輸管、行選管、復位管、源極跟隨管和懸浮漏極,所述多個像素單元的懸浮漏極互不直接相連;
步驟S2:形成接觸孔和第一層金屬互連線,所述第一層金屬互連線包括第一部分,所述第一層金屬互連線的第一部分通過所述接觸孔將每一所述像素單元的懸浮漏極、復位管的源極以及源極跟隨管的柵極電連接;
步驟S3:形成第二通孔及第三層金屬互連線,其中所述第二通孔位于所述第一層金屬互連線的第一部分的正上方,所述第三層金屬互連線通過所述第二通孔與所述第一層金屬互連線的第一部分電連接,以將所述多個像素單元的懸浮漏極并聯引出。
2.根據權利要求1所述的用于圖像傳感器的結構的制造方法,其特征在于,步驟S4中形成第三層金屬互連線的步驟包括:
沉積第三層金屬層;
在所述第三層金屬層中形成露出所述多個像素單元的光電二極管的窗口。
3.根據權利要求2所述的用于圖像傳感器的結構的制造方法,其特征在于,所述第三層金屬互連線連接至電源電壓。
4.根據權利要求1所述的用于圖像傳感器的結構的制造方法,其特征在于,所述第一層金屬連線還包括用于連接外圍處理電路,以及連接地的第二部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





