[發(fā)明專利]一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310746872.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103778964A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海晨思電子科技有限公司;晨星半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/24
• 分類號(hào): G11C16/24
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，特別是涉及一種NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)。

背景技術(shù)

非易失閃存（NAND?Flash）以其容量大、訪問(wèn)速度快以及單位容量的成本低廉等特點(diǎn)，在嵌入式領(lǐng)域越來(lái)越廣泛地被用作存放數(shù)據(jù)的載體。雖然NAND?Flash在各類閃存芯片中有容量和成本上的優(yōu)勢(shì)，但可靠性相對(duì)較差也是其固有的缺陷。

NAND?Flash根據(jù)其工藝結(jié)構(gòu)又可分為單層單元（Single?Level?Cell，SLC）和多層單元（Multi?Level?Cell，MLC）兩種類型。SLC用一個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)比特的信息，而MLC一個(gè)存儲(chǔ)單元?jiǎng)t可以存放兩個(gè)字比特的信息，因此MLC有著成本上的天然優(yōu)勢(shì)，隨著市場(chǎng)對(duì)NAND?Flash容量越來(lái)越大的需求，MLC的應(yīng)用逐漸廣泛。但也由于其特殊的物理結(jié)構(gòu)，MLC的可靠性相對(duì)于SLC要差地多，因此在取得成本優(yōu)勢(shì)的同時(shí)提高M(jìn)LC可靠性成了必須解決的問(wèn)題。

NAND?Flash在量產(chǎn)時(shí)，一般是使用專門的燒錄器將燒寫數(shù)據(jù)寫入到NAND?Flash，然后通過(guò)高溫貼片方式將NAND?Flash貼片到電路板上。但是高溫貼片可能會(huì)使其中已經(jīng)寫好的數(shù)據(jù)發(fā)生損壞，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)，能夠使低成本的MLC?NAND?Flash大規(guī)模應(yīng)用于產(chǎn)品中，在保證生產(chǎn)效率的同時(shí)還能確保NAND?Flash的可靠性。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法，在燒寫數(shù)據(jù)之前，包括：識(shí)別出NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，所述半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁(yè)寫有數(shù)據(jù)、其余頁(yè)空白的塊；在所有所述半空塊的所有空白頁(yè)中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使所述半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊，所述全滿塊是每頁(yè)均寫有數(shù)據(jù)的塊，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種NAND?Flash的使用方法，所述方法包括：系統(tǒng)上電時(shí)，判斷所述NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊與其他全滿塊；若所述NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對(duì)所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的又一種技術(shù)方案是：提供一種NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置，所述裝置包括識(shí)別模塊和寫入模塊，其中：所述識(shí)別模塊用于識(shí)別出NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，所述半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁(yè)寫有數(shù)據(jù)、其余頁(yè)空白的塊；所述寫入模塊用于在所有所述半空塊的所有空白頁(yè)中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使所述半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊，所述全滿塊是每頁(yè)均寫有數(shù)據(jù)的塊，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的還有一種技術(shù)方案是：提供一種NAND?Flash的運(yùn)行系統(tǒng)，所述運(yùn)行系統(tǒng)包括判斷模塊和處理模塊，其中：所述判斷模塊用于在系統(tǒng)上電時(shí)，判斷所述NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊與其他全滿塊；所述處理模塊用于在所述NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對(duì)所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過(guò)在燒寫數(shù)據(jù)之前，識(shí)別出NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)中的部分頁(yè)寫有數(shù)據(jù)、其余頁(yè)空白的所有半空塊，在所有半空塊的所有空白頁(yè)中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為每頁(yè)均寫有數(shù)據(jù)的全滿塊，其中預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。通過(guò)這樣的方式，對(duì)半空塊進(jìn)行處理，使得燒寫數(shù)據(jù)塊都滿足每個(gè)頁(yè)都空或者每個(gè)頁(yè)都寫有數(shù)據(jù)的要求，從而避免高溫貼片時(shí)已燒寫數(shù)據(jù)出現(xiàn)損壞，提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明提供的一種NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法一個(gè)實(shí)施方式的流程圖；

圖2是本發(fā)明提供的一種NAND?Flash的使用方法一個(gè)實(shí)施方式的流程圖；

圖3是本發(fā)明提供的一種NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明提供的一種NAND?Flash的運(yùn)行系統(tǒng)一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。