[發明專利]Ho及Tm、Cr、Yb共摻雜鉭酸鹽鈮酸鹽發光材料及其熔體法晶體生長方法

無效

• 申請號: 201310746241.6
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103710024A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 張慶禮;劉文鵬;竇仁勤;孫貴花;楊華軍;孫敦陸;殷紹唐
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C09K11/78
• 分類號: C09K11/78;C30B29/30
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.Ho及Tm、Cr、Yb共摻雜鉭酸鹽鈮酸鹽發光材料，其特征在于包括：1)Cr、Tm、Ho共摻雜的鉭酸鹽和鈮酸鹽，分子式表示為Cr_xTm_yHo_zRE_uRE′_(1-x-y-z-u)MO₄(下簡記為CTH:RMO)；2)Tm、Ho摻雜的鉭酸鹽和鈮酸鹽，分子式表示為Tm_yHo_zRE_uRE′_(1-y-z-u)MO₄(下簡記為Tm,Ho:RMO)；3)Ho摻雜的鉭酸鹽和鈮酸鹽，分子式表示為Ho_zRE_uRE′_(1-z-u)MO₄(下簡記為Ho:RMO)；4)Yb、Ho摻雜的鉭酸鹽和鈮酸鹽，分子式表示為Yb_vHo_zRE_uRE′_(1-v-z-u)MO₄(下簡記為Yb,Ho:RMO)；5)Yb、Tm、Ho摻雜的鉭酸鹽和鈮酸鹽，分子式表示為Yb_vTm_yHo_zRE_uRE′_(1-y-z-u-v)MO₄(下簡記為YTH:RMO)；上述分子式中RE、RE′代表Sc、Y、La、Gd、Lu，且同一化合物中RE≠RE′，M代表Ta、Nb，x、y、z、u、v的取值范圍為：0<x≤0.5，0<y≤0.5，0<z≤0.5,0<u≤0.5，0<v≤0.5，同時還應滿足下列條件：對于Cr_xTm_yHo_zRE_uRE′_(1-x-y-z-u)MO₄，0<x+y+z+u<1；對于Tm_yHo_zRE_uRE′_(1-y-z-u)MO₄，0<y+z+u<1；對于Ho_zRE_uRE′_(1-z-u)MO₄，0<z+u<1；對于Yb_vHo_zRE_uRE′_(1-v-z-u)MO₄，0<v+z+u<1；對于Yb_vTm_yHo_zRE_uRE′_(1-y-z-u-v)MO₄，0<y+z+u+v<1。

2.如權利要求1所述的Cr_xTm_yHo_zRE_uRE′_(1-x-y-z-u)MO₄熔體法晶體生長的配料方法，其特征在于：采用Cr₂O₃、Tm₂O₃、Ho₂O₃、RE₂O₃、RE′₂O₃、M₂O₅作為原料，按如下化合式：進行配料，將其充分混合均勻后，壓制成盤片、柱狀或不經壓制，在1200-1600℃下煅燒80-200小時發生固相反應后，獲得生長晶體所需的多晶原料。