[發明專利]聚焦環和應用聚焦環的濺射反應器有效
| 申請號： | 201310745989.4 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN104752138A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;趙凱;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;張亞光 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聚焦 應用 濺射 反應器 | ||
1.一種聚焦環，其特征在于，所述聚焦環具有內表面，所述內表面具有花紋，所述花紋的深度大于850μm且小于1000μm。
2.如權利要求1所述的聚焦環，其特征在于，所述花紋的深度大于900μm且小于1000μm。
3.如權利要求1所述的聚焦環，其特征在于，所述聚焦環還具有上端面、下端面和外表面，所述上端面、下端面和外表面的至少其中之一也具有所述花紋。
4.如權利要求1或3所述的聚焦環，其特征在于，所述花紋的螺距數范圍為80TPI～20TPI。
5.如權利要求1或3所述的聚焦環，其特征在于，所述聚焦環的材料為鉭、銅或鈦。
6.如權利要求1或3所述的聚焦環，其特征在于，所述花紋為整齊排列的多個條形結構、波浪形結構、鋸齒形結構、螺線形結構或者格子結構。
7.如權利要求1或3所述的聚焦環，其特征在于，所述聚焦環應用于8英寸襯底上進行濺射過程。
8.如權利要求1或3所述的聚焦環，其特征在于，所述花紋采用滾花的方式制作。
9.一種應用聚焦環的濺射反應器，其特征在于，包括：
真空室，具有圍繞中心軸線布置的側壁；
濺射靶材，被密封到所述真空室的一端；基座，沿所述中心軸線布置成與所述濺射靶材相對，用于支撐待處理的晶片；及
聚焦環，所述聚焦環具有內表面，所述內表面具有花紋，所述花紋的深度大于850μm且小于1000μm，所述聚焦環位于所述真空室內，并位于所述濺射靶材與所述基座之間。
10.如權利要求9所述的濺射反應器，其特征在于，所述聚焦環還具有上端面、下端面和外表面，所述上端面、下端面和外表面的至少其中之一也具有所述花紋。
11.如權利要求9所述的濺射反應器，其特征在于，所述花紋的螺距數范圍為80TPI～20TPI。
12.如權利要求9所述的濺射反應器，其特征在于，所述聚焦環的材料為鉭、銅或鈦。
13.如權利要求9所述的濺射反應器，其特征在于，所述花紋為整齊排列的多個條形結構、波浪形結構、鋸齒形結構、螺線形結構或者格子結構。
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