[發明專利]一種陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201310745888.7
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103713420A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 金起滿;柳在健
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

技術領域

本發明涉及光電技術領域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

目前，在顯示屏、電致發光器件、觸摸屏、太陽能電池及其他光電器件領域，透明導電氧化物膜層以其禁帶寬、可見光譜區透射率高和電阻率低等特性受到廣泛應用，例如，它可以作為顯示屏中的像素電極或公共電極，或者可以作為觸摸屏中的觸控電極等。

現以如圖1和圖2所示的兩種陣列基板在應用于液晶顯示屏的結構為例進行說明，圖1為在襯底基板1上依次設置有第一透明導電氧化物膜層2、絕緣層3、取向層4和液晶層5；圖2為在襯底基板1上依次設置有第一透明導電氧化物膜層2、絕緣層3、鈍化層6、第二透明導電氧化物膜層7、取向層4和液晶層5。在上述兩種結構的陣列基板中，襯底基板1的折射率為1.5，第一透明導電氧化物膜層2一般采用折射率為1.92的氧化銦錫（Indium?Tin?Oxides），或者采用折射率為2.05的氧化銦鋅（Indium?Zinc?Oxides）或氧化銦鎵鋅（Indium?Gallium?Zinc?Oxides），由于襯底基板1與第一透明導電氧化物膜層2之間存在折射率差，在入射光從襯底基板1入射再從液晶層5出射的過程中，入射光存在多層反射的現象，導致陣列基板整體的光透過率下降。在理想狀態下，當第一透明導電氧化物膜層2的厚度為110-160nm時，陣列基板的光透過率最大，然而，在實際制作過程中，由于受到沉積時間和刻蝕精度的限制，一般將第一透明導電氧化物膜層2的厚度控制在30-50nm范圍內，通過實驗數據可知，這樣制得的陣列基板的光透過率較低。

因此，如何提高陣列基板的光透過率，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，用以提高陣列基板的光透過率。

因此，本發明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的第一透明導電氧化物膜層；

在所述襯底基板和所述第一透明導電氧化物膜層之間設置有一涂層，所述涂層的折射率大于所述襯底基板的折射率，且小于所述第一透明導電氧化物膜層的折射率。

本發明實施例提供的上述陣列基板，由于在存在較大折射率差的襯底基板和第一透明導電氧化物膜層之間新增加一涂層，該涂層的折射率大于襯底基板的折射率，且小于第一透明導電氧化物膜層的折射率，這樣能夠減弱由于襯底基板和第一透明導電氧化物膜層之間存在的較大的折射率差而引起的多層反射現象，可以提高陣列基板的光透過率。

具體地，所述第一透明導電氧化物膜層的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化銦鎵鋅。

進一步地，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述涂層的折射率為1.6、1.7、1.8或1.9。

較佳地，為了避免新增加的涂層對陣列基板的光透過率產生影響，所述涂層的材料為二氧化硅、三氧化二釔、三氧化二鋁、氟化鈰或三氧化二鈧。

較佳地，考慮到涂層的厚度對陣列基板的光透過率的影響，所述涂層的厚度大于或等于40nm，且小于或等于160nm。

進一步地，本發明實施例提供的上述陣列基板，還包括：位于所述第一透明導電氧化物膜層上，且與所述第一透明導電氧化物膜層相互絕緣的第二透明導電氧化物膜層。

具體地，所述第二透明導電氧化物膜層的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化銦鎵鋅。

本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的上述陣列基板。

進一步地，本發明實施例提供的上述顯示裝置，還包括：與所述陣列基板相對設置的對向基板，以及位于所述對向基板與所述陣列基板之間的液晶層。

附圖說明

圖1和圖2分別為現有技術中的陣列基板應用于液晶顯示屏的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的陣列基板的結構示意圖；

圖4和圖5分別為本發明實施例提供的陣列基板應用于液晶顯示屏的結構示意圖；

圖6至圖8分別為本發明實例一至實例三中的陣列基板的光透過率曲線。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明實施例提供的陣列基板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各膜層的形狀和厚度不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本發明內容。

本發明實施例提供的一種陣列基板，如圖3所示，包括襯底基板1和位于襯底基板1上的第一透明導電氧化物膜層2；