[發明專利]對具有與工藝水平不相稱良率的芯片的分類方法

在審

• 申請號: 201310745806.9
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104752259A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 趙永林
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種對具有與工藝水平不相稱良率的芯片的分類方法，其特征在于，包括：

獲取至少一晶元上若干芯片的電性測試中各測試項的測試結果；

根據上述測試結果獲取該晶元對應的每個測試項的良率損失；

根據該晶元對應的每個測試項的良率損失對各測試項進行相關性分析；

根據各測試項是否相關將上述所有測試項進行分組；

尋找每組中良率損失最嚴重的測試項；

對良率損失最嚴重的測試項與制作芯片所用工藝參數進行相關性分析，若該測試項與所用工藝參數均不相關，則芯片所具有的與工藝水平不相稱良率不屬于特殊的、系統性的問題。

2.根據權利要求1所述的分類方法，其特征在于，所述若干芯片包括電性測試中至少一測試項測試結果極端的芯片。

3.根據權利要求1所述的分類方法，其特征在于，若測試項與工藝參數的相關系數小于0.3，則該測試項與該工藝參數不相關。

4.根據權利要求1所述的分類方法，其特征在于，良率損失通過計算獲取，且每個芯片的各測試項的測試結果采用若某個測試項不合格，仍繼續測試其余測試項的方法。

5.根據權利要求4所述的分類方法，其特征在于，各測試項的測試結果為“0”或“1”。

6.根據權利要求4所述的分類方法，其特征在于，各測試項的測試結果為具體數值。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的分類方法，其特征在于，在測試項與工藝參數的相關系數的3sigma區間內，若該測試項的良率損失小于1%，則該測試項與該工藝參數不相關。

8.根據權利要求4所述的分類方法，其特征在于，尋找每組中良率損失最嚴重的測試項后，若該組中最嚴重良率損失小于1%，放棄對該組的測試項與制作芯片所用工藝參數進行相關性分析。

9.根據權利要求1所述的分類方法，其特征在于，獲取良率損失中，每個芯片的各測試項的測試結果采用若某個測試項不合格，停止繼續測試其余測試項的方法。

10.根據權利要求9所述的分類方法，其特征在于，各測試項的測試結果為該測試項對應的該晶元的良率損失。

11.根據權利要求9或10所述的分類方法，其特征在于，在測試項與工藝參數的相關系數的3sigma區間內，若該測試項的良率損失小于0.5%，則該測試項與該工藝參數不相關。

12.根據權利要求9所述的分類方法，其特征在于，尋找每組中良率損失最嚴重的測試項后，若該組中最嚴重良率損失小于0.5%，放棄對該組的測試項與制作芯片所用工藝參數進行相關性分析。

13.根據權利要求1所述的分類方法，其特征在于，獲取測試結果后，還包括：

對制作芯片所用各工藝參數之間進行相關性分析；

根據各工藝參數是否相關將上述所有工藝參數進行分組；

其中，測試項與制作芯片所用工藝參數進行相關性分析中，所用工藝參數是每組中的一個工藝參數。

14.根據權利要求1所述的分類方法，其特征在于，所述電性測試的各測試項包括：緩存功能測試、顯存速度測試。

15.根據權利要求1所述的分類方法，其特征在于，所述制作芯片所用工藝參數包括：顯影后關鍵尺寸、刻蝕后關鍵尺寸、源漏區離子注入濃度、犧牲氧化層厚度。